首先是采用新型IGBT器件，不采用可控硅；IGBT為自關(guān)斷器件，本身比可控硅損耗小。再一個就是采用串聯(lián)諧振，串聯(lián)諧振為電壓型諧振，比并聯(lián)諧振節(jié)電。采用前級不可控全橋整流，省去了龐大的電抗器，不會在整流段引起波形的變形，沒有關(guān)斷角的削波現(xiàn)象，并且用大電容濾波，因此諧波數(shù)小，降低了對電網(wǎng)的干擾，提高了功率因數(shù)。本設(shè)備功率因數(shù)很高，高達95%以上，無功很小。

1、IGBT比可控硅節(jié)能10%。

2、串聯(lián)比并聯(lián)節(jié)能10%。

3、無變壓器比有變壓器節(jié)能，

4、全整流比半整流節(jié)能，

5、感應圈設(shè)計好更節(jié)能

6、功率因數(shù)高

電力部門對功率因數(shù)低于0.86的要罰款，高于0.95的要獎勵。電力部門供電分為有功與無功，無功電要還給電力部門，這樣收不到電費，但電通過傳輸要損耗，電力部門會損失則要求加補償柜，通常160KW的可控硅爐加一個電力要求補償柜要5萬元，否則無功電費按3倍電價扣。JZ型設(shè)備的功率因數(shù)達0.93，可控硅爐不加功率因數(shù)補償?shù)闹挥?.6。

各種因素綜合起來，決定了本設(shè)備比可控硅中頻節(jié)電20%左右，節(jié)電效果是非常可觀的。