普旭油式真空泵：半導體薄膜沉積工藝的穩定真空保障，潔凈度＞99.99%
應用場景：半導體薄膜沉積工藝的嚴苛要求
半導體薄膜沉積（如化學氣相沉積CVD、物理氣相沉積PVD）是制造芯片核心功能層的核心工藝。在納米級薄膜生長過程中，真空系統的潔凈度與壓力穩定性直接決定薄膜的均勻性、致密性及電學性能。
- 典型問題：
- 油蒸氣污染：傳統油式真空泵的潤滑油蒸氣反滲至腔室，導致薄膜表面出現針孔、雜質吸附，良率下降5%~10%。
- 壓力波動：真空度不穩定（波動＞±1%）引發膜厚不均，影響3D NAND存儲堆疊層或邏輯芯片柵極氧化層的可靠性。
- 維護成本高：頻繁清潔被污染的腔室和泵體，單臺設備年維護成本超￥20萬元。
普旭油式真空泵針對以上痛點，為CVD、PVD、ALD（原子層沉積）等工藝提供高潔凈、超穩定的真空環境，成為7nm以下先進制程的優選解決方案。
產品特點：技術革新實現潔凈與穩定雙突破
1. 多層油霧過濾系統
- 三級凈化設計：
- 機械離心分離：去除90%以上大顆粒油霧。
- 靜電吸附模塊：捕捉0.1μm級懸浮油滴，效率達99.5%。
- HEPA級終端過濾：殘留油蒸氣＜0.01mg/m3，潔凈度＞99.99%，符合SEMI F21標準。
- 自清潔功能：濾芯堵塞自動報警，支持在線更換，維護耗時＜30分鐘。
2. 恒壓精密控制技術
- 閉環壓力反饋系統：實時監測腔室壓力（精度±0.1mbar），通過變頻電機動態調節抽速，壓力波動≤±0.3%。
- 工藝氣體兼容性：適配NH?、SiH?、WF?等腐蝕性氣體，密封材料采用全氟醚橡膠（FFKM），耐腐蝕壽命提升5倍。
3. 節能長效設計
- 變頻驅動（VFD）：待機功耗降低至額定功率的15%，年省電費超￥8萬元（以10kW泵為例）。
- 長壽命潤滑油：專用高溫合成油（耐溫250℃），換油周期延長至8000小時，維護成本降低60%。
性能參數對比
指標
|
普旭油式真空泵
|
競品A（干式泵）
|
競品B（傳統油泵）
|
極限真空度
|
≤5×10?3 mbar
|
≤1×10?2 mbar
|
≤5×10?2 mbar
|
潔凈度（油蒸氣殘留）
|
＜0.01mg/m3
|
無油污染
|
0.5~1.0mg/m3
|
壓力波動
|
±0.3%
|
±0.8%
|
±1.5%
|
年綜合能耗
|
￥6.5萬
|
￥9.2萬
|
￥8.0萬
|
維護成本（年/臺）
|
￥3.8萬
|
￥5.5萬
|
￥6.0萬
|
核心優勢：數據驗證的工藝升級價值
1. 良率提升：某邏輯芯片廠在28nm HKMG工藝中采用普旭泵后，薄膜缺陷率從0.12%降至0.03%，年減少損失￥1500萬。
2. 成本優化：熱能回收系統將廢熱用于腔室預熱，降低外圍加熱能耗18%，單臺泵年省電費￥1.8萬。
3. 生產連續性：MTBF（平均無故障時間）≥20000小時，支持7×24小時連續運行，設備利用率提升25%。
總結：賦能先進制程，定義真空新標準
普旭油式真空泵通過多層油霧過濾技術與恒壓精密控制系統，徹底解決半導體薄膜沉積工藝中的油污染與壓力波動難題，潔凈度＞99.99%的指標達到行業頂尖水平。其優勢不僅體現在良率提升與成本節約，更通過適配先進制程（如EUV光刻配套薄膜沉積），助力半導體企業突破5nm、3nm技術節點。
隨著第三代半導體（GaN、SiC）與異質集成技術的崛起，普旭真空泵將持續以少污染、高穩定、智能化為核心，成為全球晶圓廠薄膜工藝升級的戰略合作伙伴。
