品牌：engis型號：
可用于2寸3寸4寸InP GaAs GaN
所屬系列：半導(dǎo)體加工設(shè)備-減薄拋光設(shè)備-研磨機(jī)
操作界面人性化，人機(jī)交流非常簡易
使用大粒徑研磨液將Wafer快速減薄
可以精確控制Wafer目標(biāo)厚度，將Wafer減薄至接近目標(biāo)厚度時(shí)，借助厚度控制夾具Wafer將懸空丌再被研磨，可以雙頭、單片、多片加工，適合研發(fā)、量產(chǎn)，可兼容多尺寸Wafer
設(shè)備的設(shè)計(jì)理念及特征
搭載開槽裝置的超高精密研磨設(shè)備EJW-400IFN 是采用高剛性機(jī)體和獨(dú)自開發(fā)的水冷式主
軸，經(jīng)常保持一定的定盤溫度，并且可以在超低震動狀態(tài)下高精度旋轉(zhuǎn)。另外，由于采用
高精度的開槽裝置，設(shè)備可以經(jīng)常維持穩(wěn)定高精度的定盤平坦度進(jìn)行加工。
主要規(guī)格：
1-1研磨設(shè)備
設(shè)備型號EJW-400IFN
研磨盤直徑外徑φ380mm；內(nèi)徑φ140mm
定盤轉(zhuǎn)速10~350rpm 可調(diào)（軟起動/停機(jī)）
主電機(jī)200V 1.5Kw 3相
加壓方式自重加壓
工件固定方式通過使用陶瓷修正輪用滾軸手臂固定
主軸部分高剛性水冷主軸
尺寸940mm×1600mm×1460mmH*含防塵蓋高度
重量1000Kg（NET）
