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中頻加熱爐、中頻爐的技術參數：
型 號:JZ-200/4 輸入功率:200KW 輸入電壓:三相380V 50-60Hz
輸入電流：300A 外形尺寸主控柜：760×530×1660mm
首先是采用新型IGBT器件，不采用可控硅；IGBT為自關斷器件，本身比可控硅損耗小。再一個就是采用串聯諧振，串聯諧振為電壓型諧振，比并聯諧振節電。采用前級不可控全橋整流，省去了龐大的電抗器，不會在整流段引起波形的變形，沒有關斷角的削波現象，并且用大電容濾波，因此諧波數小，降低了對電網的干擾，提高了功率因數。本設備功率因數很高，高達95%以上，無功很小。
首先是采用新型IGBT器件，不采用可控硅；IGBT為自關斷器件，本身比可控硅損耗小。再一個就是采用串聯諧振，串聯諧振為電壓型諧振，比并聯諧振節電。采用前級不可控全橋整流，省去了龐大的電抗器，不會在整流段引起波形的變形，沒有關斷角的削波現象，并且用大電容濾波，因此諧波數小，降低了對電網的干擾，提高了功率因數。本設備功率因數很高，高達95%以上，無功很小。
1、IGBT比可控硅節能10%。
2、串聯比并聯節能10%。
3、無變壓器比有變壓器節能，
4、全整流比半整流節能，
5、感應圈設計好更節能
6、功率因數高
電力部門對功率因數低于0.86的要罰款，高于0.95的要獎勵。電力部門供電分為有功與無功，無功電要還給電力部門，這樣收不到電費，但電通過傳輸要損耗，電力部門會損失則要求加補償柜，通常160KW的可控硅爐加一個電力要求補償柜要5萬元，否則無功電費按3倍電價扣。JZ型設備的功率因數達0.93，可控硅爐不加功率因數補償的只有0.6。
各種因素綜合起來，決定了本設備比可控硅中頻節電20%左右，節電效果是非常可觀的。
