首先是采用新型IGBT器件，不采用可控硅；IGBT為自關(guān)斷器件，本身比可控硅損耗小。再一個(gè)就是采用串聯(lián)諧振，串聯(lián)諧振為電壓型諧振，比并聯(lián)諧振節(jié)電。采用前級(jí)不可控全橋整流，省去了龐大的電抗器，不會(huì)在整流段引起波形的變形，沒有關(guān)斷角的削波現(xiàn)象，并且用大電容濾波，因此諧波數(shù)小，降低了對(duì)電網(wǎng)的干擾，提高了功率因數(shù)。本設(shè)備功率因數(shù)很高，高達(dá)95%以上，無(wú)功很小。

1、IGBT比可控硅節(jié)能10%。

2、串聯(lián)比并聯(lián)節(jié)能10%。

3、無(wú)變壓器比有變壓器節(jié)能，

4、全整流比半整流節(jié)能，

5、感應(yīng)圈設(shè)計(jì)好更節(jié)能

6、功率因數(shù)高

電力部門對(duì)功率因數(shù)低于0.86的要罰款，高于0.95的要獎(jiǎng)勵(lì)。電力部門供電分為有功與無(wú)功，無(wú)功電要還給電力部門，這樣收不到電費(fèi)，但電通過(guò)傳輸要損耗，電力部門會(huì)損失則要求加補(bǔ)償柜，通常160KW的可控硅爐加一個(gè)電力要求補(bǔ)償柜要5萬(wàn)元，否則無(wú)功電費(fèi)按3倍電價(jià)扣。JZ型設(shè)備的功率因數(shù)達(dá)0.93，可控硅爐不加功率因數(shù)補(bǔ)償?shù)闹挥?/span>0.6。

各種因素綜合起來(lái)，決定了本設(shè)備比可控硅中頻節(jié)電20%左右，節(jié)電效果是非常可觀的。