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2008年國韻電子自主精心研制的IGBT節(jié)能型中頻是國韻電子20年來的又一次重大創(chuàng)新。
我公司生產(chǎn)新型IGBT中頻加熱電爐、中頻加熱爐主要特點(diǎn):
1、體積小、功率大、加熱快、芯部透、用電省。
2、主器件采用IGBT模塊,電路采用不控全橋整流,電容濾波,橋式逆變,串聯(lián)諧振輸出。和老式中頻采用可控硅并聯(lián)諧振有根本的不同。
3、不可控整流,整流電路全導(dǎo)通。高功率因數(shù),電壓型串聯(lián)諧振等,決定了本設(shè)備大幅度省電。
2、IGBT中頻電源工作原理及特點(diǎn)
全固態(tài)感應(yīng)加熱是由全固態(tài)感應(yīng)加熱設(shè)備輸出中頻電流,通過爐體感應(yīng)圈產(chǎn)生交變磁場,它能貫穿放在感應(yīng)圈中的工件使工件自身感應(yīng)出電流,并使工件迅速加熱。
整機(jī)分為:整流部分、逆變部分、調(diào)節(jié)器電路部分、操作保護(hù)電路四部分組成。
、節(jié)電原理
首先是采用新型IGBT器件,不采用可控硅;IGBT為自關(guān)斷器件,本身比可控硅損耗小。再一個就是采用串聯(lián)諧振,串聯(lián)諧振為電壓型諧振,比并聯(lián)諧振節(jié)電。采用前級不可控全橋整流,省去了龐大的電抗器,不會在整流段引起波形的變形,沒有關(guān)斷角的削波現(xiàn)象,并且用大電容濾波,因此諧波數(shù)小,降低了對電網(wǎng)的干擾,提高了功率因數(shù)。本設(shè)備功率因數(shù)很高,高達(dá)95%以上,無功很小。
1、IGBT比可控硅節(jié)能10%。
2、串聯(lián)比并聯(lián)節(jié)能10%。
3、無變壓器比有變壓器節(jié)能,
4、全整流比半整流節(jié)能,
5、感應(yīng)圈設(shè)計(jì)好更節(jié)能
6、功率因數(shù)高
電力部門對功率因數(shù)低于0.86的要罰款,高于0.95的要獎勵。電力部門供電分為有功與無功,無功電要還給電力部門,這樣收不到電費(fèi),但電通過傳輸要損耗,電力部門會損失則要求加補(bǔ)償柜,通常160KW的可控硅爐加一個電力要求補(bǔ)償柜要5萬元,否則無功電費(fèi)按3倍電價(jià)扣。JZ型設(shè)備的功率因數(shù)達(dá)0.93,可控硅爐不加功率因數(shù)補(bǔ)償?shù)闹挥?/span>0.6。
各種因素綜合起來,決定了本設(shè)備比可控硅中頻節(jié)電20%左右,節(jié)電效果是非常可觀的。
二、實(shí)際節(jié)電效果
IGBT中頻爐與可控硅中頻爐相比節(jié)能調(diào)查記錄表
客 戶 |
使用機(jī)型 |
節(jié)能情況 |
杭州 |
JZ500/2-IGBT |
與可控硅中頻比較節(jié)能21% |
聊城 |
JZ200/4-IGBT |
與可控硅中頻比較節(jié)能20% |
鎮(zhèn)江 |
JZ300/3-IGBT |
與可控硅中頻比較節(jié)能20% |
晉江 |
JZ200/4-IGBT |
與可控硅中頻比較節(jié)能18% |
青島 |
JZ500/2-IGBT |
與可控硅中頻比較節(jié)能20% |
常州 |
JZ200/4-IGBT |
與可控硅中頻比較節(jié)能23% |
張家港 |
JZ200/4-IGBT |
與可控硅中頻比較節(jié)能20% |
JZ-300/4中頻設(shè)備
l 主要技術(shù)參數(shù):
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供電電源 |
輸入功率 |
中頻范圍 KHZ |
暫載率 |
輸入電流 |
外形尺寸 主控柜:長×寬×高㎜ |
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JZ-300/4 |
三相四線380V 50-60HZ |
300KW |
2-4 |
100% |
450A |
530×760×1660 |
1、賣方上門現(xiàn)場安裝調(diào)試并培訓(xùn)買方人員。
2、對用戶實(shí)行(1+1)技術(shù)售后服務(wù),即一臺設(shè)備出廠后有一位專職的工程師進(jìn)行常年技術(shù)跟蹤服務(wù)。
3、發(fā)生故障,賣方保證在接到買方通知后24小時(shí)內(nèi)趕到買方現(xiàn)場進(jìn)行處理。
4、質(zhì)保期12個月。質(zhì)保期內(nèi),非人為設(shè)備質(zhì)量問題造成設(shè)備損壞品及元件損壞,賣方免費(fèi)進(jìn)行維修。
5、質(zhì)保期外,提供終身有償維修及保養(yǎng)服務(wù)。