類型:開關型 極性:PNP; 材料:硅; 最大集電極電流(A):0.5 A; 直流電增益:10 to 60; 功耗:625 mW;
1.共射電流放大系數 和β
在共射極放大電路中，若交流輸入信號為零，則管子各極間的電壓和電流都是直流量，此時的集電極電流IC和基極電流IB的比就是 ， 稱為共射直流電流放大系數。
當共射極放大電路有交流信號輸入時，因交流信號的作用，必然會引起IB的變化，相應的也會引起IC的變化，兩電流變化量的比稱為共射交流電流放大系數β，即上述兩個電流放大系數 和β的含義雖然不同，但工作在輸出特性曲線放大區(qū)平坦部分的三極管，兩者的差異極小，可做近似相等處理，故在今后應用時，通常不加區(qū)分，直接互相替代使用。
由于制造工藝的分散性，同一型號三極管的β值差異較大。常用的小功率三極管，β值一般為20～100。β過小，管子的電流放大作用小，β過大，管子工作的穩(wěn)定性差，一般選用β在40～80之間的管子較為合適。
2.極間反向飽和電流ICBO和ICEO
（1）集電結反向飽和電流ICBO是指發(fā)射極開路，集電結加反向電壓時測得的集電極電流。常溫下，硅管的ICBO在nA（10-9）的量級，通常可忽略。
（2）集電極-發(fā)射極反向電流ICEO是指基極開路時，集電極與發(fā)射極之間的反向電流，即穿透電流，穿透電流的大小受溫度的影響較大，穿透電流小的管子熱穩(wěn)定性好。
3.極限參數
（1）集電極最大允許電流ICM
晶體管的集電極電流IC在相當大的范圍內β值基本保持不變，但當IC的數值大到一定程度時，電流放大系數β值將下降。使β明顯減少的IC即為ICM。為了使三極管在放大電路中能正常工作，IC不應超過ICM。
（2）集電極最大允許功耗PCM，晶體管工作時、集電極電流在集電結上將產生熱量，產生熱量所消耗的功率就是集電極的功耗PCM，即
PCM=ICUCE （5-7）功耗與三極管的結溫有關，結溫又與環(huán)境溫度、管子是否有散熱器等條件相關。根據5-7式可在輸出特性曲線上作出三極管的允許功耗線，功耗線的左下方為安全工作區(qū)，右上方為過損耗區(qū)。
手冊上給出的PCM值是在常溫下25℃時測得的。硅管集電結的上限溫度為150℃左右，鍺管為70℃左右，使用時應注意不要超過此值，否則管子將損壞。
（3）反向擊穿電壓UBR（CEO）
反向擊穿電壓UBR（CEO）是指基極開路時，加在集電極與發(fā)射極之間的最大允許電壓。使用中如果管子兩端的電壓UCE＞UBR（CEO），集電極電流IC將急劇增大，這種現象稱為擊穿。管子擊穿將造成三極管永久性的損壞。三極管電路在電源EC的值選得過大時，有可能會出現，當管子截止時，UCE＞UBR（CEO）導致三極管擊穿而損壞的現象。一般情況下，三極管電路的電源電壓EC應小于1/2 UBR（CEO）。
4.溫度對三極管參數的影響幾乎所有的三極管參數都與溫度有關，因此不容忽視。溫度對下列的三個參數影響最大。
（1）對β的影響：
三極管的β隨溫度的升高將增大，溫度每上升l℃，β值約增大0.5～1％，其結果是在相同的IB情況下，集電極電流IC隨溫度上升而增大。
（2）對反向飽和電流ICEO的影響：
ICEO是由少數載流子漂移運動形成的，它與環(huán)境溫度關系很大，ICEO隨溫度上升會急劇增加。溫度上升10℃，ICEO將增加一倍。由于硅管的ICEO很小，所以，溫度對硅管ICEO的影響不大。
（3）對發(fā)射結電壓ube的影響：
和二極管的正向特性一樣，溫度上升1℃，ube將下降2～2.5mV。
綜上所述，隨著溫度的上升，β值將增大，iC也將增大，uCE將下降，這對三極管放大作用不利，使用中應采取相應的措施克服溫度的影響。
