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| 制造商 | Toshiba | |
| 產品種類 | 晶體管輸出光電耦合器 | |
| 封裝 | SOP-4 | |
| 包裝 | 3000PCS/REEL |
由于使用了S06封裝，TLP184 和TLP185晶體管耦合器比前一代產品要輕薄，而且能在高溫下正常工作(Ta = 110度最大值)。
TLP184 和TLP185分別是TLP180 and TLP181的更新產品。能輕易用這些產品代替現在的這些型號，因為這些產品的參考衰減器尺寸與現在的MFSOP6封裝型號的尺寸是一樣的。而且，由于更輕薄，這些產品能將安裝高度從先前的2.8毫米，降低到2.3毫米。
因為SO6封裝能確保最小的間隙和爬電距離為5毫米，而不是現有型號MFSOP6封裝中的4毫米。所以這些產品的最大允許操作隔離電壓為 707 Vpk，EN60747-5-2中已明確規(guī)定過。 所以，TLP184 和 TLP185能更換DIP封裝區(qū)域的零件(TLP781，TLP785等)。而且，這種產品能確保內部絕緣厚度為0.4毫米，而且屬于加強絕緣種類，符合國外安全標準。
因為這些產品都達到了UL、cUL、VDE及BSI等國際認證的安全標準，所以他們非常適合AC適配器、開關電源供電及FA設備等電子應用場合。
| 項目 | 符號 | 單位 | 測試 條件 |
TLP180 / TLP181 | TLP184 / TLP185 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 典型值 | 最大值 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | ||||
| 正向電壓 | VF | V | IF=10mA | 1 | 1.15 | 1.3 | 1.1 | 1.25 | 1.4 |
| 集電極暗電流 | ICEO | μA | VCE=48V | - | 0.01 | 0.1 | - | 0.01 | 0.08 |
| 集電極-發(fā)射極擊穿電壓 | V(BR)CEO | V | IC=0.5mA | 80 | - | - | 80 | - | - |
| 集電極--發(fā)射極擊穿電壓 | V(BR)ECO | V | IE=0.1mA | 7 | - | - | 7 | - | - |
| 電流傳輸比 | IC/IF | % | IF=5mA, VCE=5V |
50 | - | 600 | 50 | - | 400 |
| 飽和CTR | IC/IF(sat) | % | IF=1mA, VCE=0.4V |
- | 60 | - | - | 60 | - |
| 飽和CTR, GB檔產品 | 30 | - | - | 30 | - | - | |||
| 集電極-發(fā)射極飽和電壓 | VCE(sat) | V | IC=2.4mA, IF=8mA |
- | - | 0.4 | - | - | 0.3 |
| 集電極-發(fā)射極飽和電壓， GB檔 |
IC=0.2mA, IF=1mA |
- | - | 0.4 | - | - | 0.3 | ||
| 斷開的集電極電流 | IC(off) | μA | VF=0.7V, VCE=48V |
- | - | 10 | - | 1 | 10 |
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