性能特點：

替代第3代DSA系列，V系列和HSA系列IPM，采用全柵型CSTBT^TM硅片具有低損耗，600V:Vce(sat)(@Tj=125˚C)=2.55V ---> 1.75V， 1200V: Vce(sat)(@Tj=125˚C)=2.6V ---> 1.85V，優化上溫度傳感器 ，新的結線技術顯著改善功率循環，兼容現有V系列小封裝 ，SXR端子提供穩壓電源供外部光耦使用（可選），V1系列IPM使得變頻器的功率損耗與傳統產品相比，降低約20%，（PM300DV1A120與PM300DVA120相比較）。

應用領域：

高端通用變頻器、伺服電機驅動器等