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壓敏電阻 是指在一定電流電壓范圍內(nèi)電阻值隨電壓而變,或者是說 電阻值對(duì)電壓敏感的電阻器。壓敏電阻英文簡寫做“Varistor"。
壓敏電阻器的電阻體材料是半導(dǎo)體,所以它是半導(dǎo)體電阻器的一個(gè)品種?,F(xiàn)在大量使用的"氧化鋅"(ZnO)壓敏電阻器,它的主體材料有二價(jià)元素(Zn)和六價(jià)元素氧(O)所構(gòu)成。所以從材料的角度來看,氧化鋅壓敏電阻器是一種“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半導(dǎo)體”。
片式電阻器亦稱表面貼裝電阻器,它與其它片式元器件(SMC及SMD)一樣,是適用于表面貼裝技術(shù)(SMT)的新一代無引線或短引線微型電子元件。其引出端的焊接面在同一平面上。
片式壓敏電阻介紹
最大限制電壓(CLAMPING VOLTAGE (MAX.)):
最大限制電壓是指壓敏電阻器兩端所能承受的最高電壓值,它表示在規(guī)定的沖擊電流Ip通過壓敏電阻時(shí)次兩端所產(chǎn)生的電壓此電壓又稱為殘壓,所以選用的壓敏電阻的殘壓一定要小于被保護(hù)物的耐壓水平Vo,否則便達(dá)不到可靠的保護(hù)目的,通常沖擊電流Ip值較大,例如2.5A或者10A,因而壓敏電阻對(duì)應(yīng)的最大限制電壓Vc相當(dāng)大,例如MYG7K471其Vc=775(Ip=10A時(shí))。
最大能量(能量耐量):
壓敏電阻所吸收的能量通常按下式計(jì)算W=kIVT(J)
其中I——流過壓敏電阻的峰值
V——在電流I流過壓敏電阻時(shí)壓敏電阻兩端的電壓
T——電流持續(xù)時(shí)間
k——電流I的波形系數(shù)
對(duì):
2ms的方波 k=1
8/20μs波 k=1.4
10/1000μs k=1.4
壓敏電阻對(duì)2ms方波,吸收能量可達(dá)330J每平方厘米;對(duì)8/20μs波,電流密度可達(dá)2000A每立方厘米,這表明他的通流能力及能量耐量都是很大的
一般來說壓敏電阻的片徑越大,它的能量耐量越大,耐沖擊電流也越大,選用壓敏電阻時(shí)還應(yīng)當(dāng)考慮經(jīng)常遇到能量較小、但出現(xiàn)頻率次數(shù)較高的過電壓,如幾十秒、一兩分鐘出現(xiàn)一次或多次的過電壓,這時(shí)就應(yīng)該考慮壓敏電阻所能吸收的平均功率。
電壓比: 電壓比是指壓敏電阻器的電流為1mA時(shí)產(chǎn)生的電壓值與壓敏電阻器的電流為0.1mA時(shí)產(chǎn)生的電壓值之比。
額定功率: 在規(guī)定的環(huán)境溫度下所能消耗的最大功率。
最大峰值電流 ( SURGE CURRENT (8/20μs) ):
一次以8/20μs標(biāo)準(zhǔn)波形的電流作一次沖擊的最大電流值,此時(shí)壓敏電壓變化率仍在±10%以內(nèi)。2次:以8/20μs標(biāo)準(zhǔn)波形的電流作兩次沖擊的最大電流值,兩次沖擊時(shí)間間隔為5分鐘,此時(shí)壓敏電壓變化率仍在±10%以內(nèi)。
殘壓比: 流過壓敏電阻器的電流為某一值時(shí),在它兩端所產(chǎn)生的電壓稱為這一電流值的殘壓。殘壓比則為殘壓與標(biāo)稱電壓之比。
漏電流: 漏電流又稱等待電流,是指壓敏電阻器在規(guī)定的溫度和最大直流電壓下,流過壓敏電阻器的電流。
電壓溫度系數(shù): 電壓溫度系數(shù)是指在規(guī)定的溫度范圍(溫度為20~70℃)內(nèi),壓敏電阻器標(biāo)稱電壓的變化率,即在通過壓敏電阻器的電流保持恒定時(shí),溫度改變1℃時(shí)壓敏電阻兩端的相對(duì)變化。
電流溫度系數(shù): 電流溫度系數(shù)是指在壓敏電阻器的兩端電壓保持恒定時(shí),溫度改變1℃時(shí),流過壓敏電阻器電流的相對(duì)變化。
電壓非線性系數(shù): 電壓非線性系數(shù)是指壓敏電阻器在給定的外加電壓作用下,其靜態(tài)電阻值與動(dòng)態(tài)電阻值之比。
絕緣電阻: 絕緣電阻是指壓敏電阻器的引出線(引腳)與電阻體絕緣表面之間的電阻值。
靜態(tài)電容: 靜態(tài)電容是指壓敏電阻器本身固有的電容容量。
壓敏電阻雖然能吸收很大的浪涌電能量,但不能承受毫安級(jí)以上的持續(xù)電流,在用作過壓保護(hù)時(shí)必須考慮到這一點(diǎn)。壓敏電阻的選用,一般選擇標(biāo)稱壓敏電壓V1mA和通流容量兩個(gè)參數(shù)。
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