“壓敏電阻是中國大陸的名詞，意思是"在一定電流電壓范圍內電阻值隨電壓而變"，或者是說"電阻值對電壓敏感"的阻器。相應的英文名稱叫“Voltage Dependent Resistor”簡寫為“VDR”。
壓敏電阻器的電阻體材料是半導體，所以它是半導體電阻器的一個品種。現在大量使用的"氧化鋅"（ZnO）壓敏電阻器，它的主體材料有二價元素（Zn）和六價元素氧（O）所構成。所以從材料的角度來看，氧化鋅壓敏電阻器是一種“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半導體”。
在中國臺灣，壓敏電阻器是按其用途來命名的，稱為"突波吸收器"。壓敏電阻器按其用途有時也稱為“電沖擊（浪涌）抑制器（吸收器）”。
2、壓敏電阻電路的“安全閥”作用
壓敏電阻有什么用？壓敏電阻的最大特點是當加在它上面的電壓低于它的閥值"UN"時，流過它的電流極小，相當于一只關死的閥門，當電壓超過UN時，流過它的電流激增，相當于閥門打開。利用這一功能，可以抑制電路中經常出現的異常過電壓，保護電路免受過電壓的損害。
3、應用類型
不同的使用場合，應用壓敏電阻的目的，作用在壓敏電阻上的電壓/電流應力并不相同，
因而對壓敏電阻的要求也不相同，注意區分這種差異，對于正確使用是十分重要的。
根據使用目的的不同，可將壓敏電阻區分為兩大類：①保護用壓敏電阻，②電路功能用壓敏電阻。
片式壓敏電阻器（VARISTOR）是壓敏電阻器的一種.它是用氧化鋅非線性電阻元件作為核心而制成的電沖擊保護器件。氧化鋅非線性電阻元件是以氧化鋅（ zn0 ）為主體材料，添加多種其他微量元素，用陶瓷工藝制成的化合物半導體元件。它的基本特性是電流一電壓關系的非線性。當加在它兩端的電壓低于某個閥電壓，即“壓敏電壓”時，它的電阻值極大，為兆歐級；而當加在它兩端的電壓超過壓敏電壓后，電阻值隨電壓的增高急速下降，可小到歐姆級、毫歐姆級。
壓敏電阻器與普通電阻器不同，普通電阻器遵守歐姆定律，而片式壓敏電阻器的電壓與電流則呈特殊的非線性關系。當片式壓敏電阻器兩端所加電壓低于標稱額定電壓值時，其電阻值接近無窮大，內部幾乎無電流流過。當片式壓敏電阻器兩端電壓略高于標稱額定電壓時，它將被迅速擊穿導通，并由高阻狀態變為低阻狀態，工作電流也急劇增大。當其兩端電壓低于標稱額定電壓時，片式壓敏電阻器又能恢復為高阻狀態。當壓敏電阻器兩端電壓超過其最大限制電壓時，壓敏電阻器將完全擊穿損壞，無法再自行恢復。一般而言,片式壓敏電阻器的制作工藝流程如下:疊層,切割,排膠,燒結,倒角,涂敷,端電極,電鍍.
在討論ZOV的制作之前，首先應該學習一下ZOV的導電機理，因為導電機理和微觀形成機理是進行討論和研究的基礎。對此，作者推薦兩篇論文，一篇是譚宜成博士的《ZnO壓敏瓷主晶界高非線性形成機理》(1987年博士論文)。該文詳細敘述了ZnO壓敏瓷的研制過程，用熱離子發射、熱助場發射、場發射理論，解釋了正反偏肖特基勢壘的電壓-電流特性，用FromRel-Poolt發射、遂道效應、熱激發躍遷、空間電荷限制電流理論，解釋了薄絕緣層中的電壓-電流特性，提出了他的主晶界次晶模型。他對主晶界、次晶界的形成理論、形成過程及其對電性能的影響作了很詳細的研究，尤其是對致密化過程的研究很有實用價值。另一篇是《Zine Oxide Varistor》(IEEE.Electrieal Insulatcon Magazine D.C VOL1.91.P50)，該文敘述了從1968年Matsouka發明ZnO壓敏電阻以來至1987年Suzuoki提出空間電荷引起的電流理論，這20年間壓敏陶瓷導電機理的發展。詳細敘述了8個模型：①在富鉍晶界層內建立的"空間電荷限制電流"模型；②萊文遜（Levinson）、菲利普（Philip）提出的"晶界面處通過薄層的遂道效應"模型；③Emtage和Einzinger提出的有ZnO相和富Bi晶間相異質結的"界面態肖特基勢壘遂道效應"模型；④Maham提出的"通過具有空穴形成的肖特基勢壘遂道效應"模型，此模型提出了晶界處少數載流子（空穴）的重要性；⑤Einzinger提出的"通過ZnO同質結構的遂道效應"模型，此模型指出了冷卻時在晶界形成缺陷的熱平衡的重要性；⑥Pike提出的"空穴引起的穿透"模型，此模型指出了"由于空穴積聚使晶界處勢壘降低造成了壓敏陶瓷的高非線性，空穴是由于耗盡區的加速電子產生的，勢壘的大小取決于體陷井和界面態"⑦萊文遜（Levinson）、菲利普（Philip）提出的"有異質結的旁路效應"模型，此模型闡明了富鉍晶界層在小電流區的重要作用，并假設了通過異質結和富鉍晶界層的平行電流通路，此模型提出于1986年，至今仍在行業中沿用；⑧Suzuoki提出的由ZnO相和富Bi2O3薄膜組成的"異質結外引起的空間電荷電流"模型。
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