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一種半導體激光器掩蔽膜的制作方法,其特征在于:包括以下步驟:(1)涂敷聚酰亞胺:在激光器外延晶片表面均勻涂敷聚酰亞胺;(2)烘烤:將涂有聚酰亞胺的激光器外延晶片放入烘箱內,在100度以上溫度下烘烤20～50分鐘;(3 )涂正性光刻膠:在烘烤后的聚酰亞胺層的表面再均勻地涂上正性光刻膠;(4)涂膠后烘烤:將涂正性光刻膠后的激光器外延晶片放入烘箱內,在80度以上溫度下烘烤20～40分鐘;(5)曝光:對烘烤后的正性光刻膠曝光;曝光區域為條形結構; 使正性光刻膠及聚酰亞胺充分曝光;(6)顯影:將曝光區域的正性光刻膠用弱堿性溶液顯影,使窗口區域內無任何聚酰亞胺殘留;(7)烘烤:顯影后的激光器外延晶片放入烘箱內,在140以上溫度下烘烤10～20分鐘;(8)去膠:用有 機溶劑去掉殘留的正性光刻膠;(9)亞胺化:在高溫爐里分三個階段進行亞胺化,在160～220度時加熱30～50分鐘,在320～400度時加熱60分鐘～80分鐘,在450～500度時加熱3～6分鐘。 |
| 介紹: |
本發明提供了一種半導體激光器掩蔽膜的制作方法,包括以下步驟:(1)均勻涂敷聚酰亞胺;(2)烘烤;(3)涂正性光刻膠;(4)涂膠后烘烤;(5)曝光;(6)顯影;(7)烘烤;(8)用有機溶劑去掉殘留的正性光刻膠;(9)亞氨化:在高溫爐里進行亞胺化。本發明利用旋涂等均勻涂敷方法涂敷聚酰亞胺、光刻后亞胺化的方法制作半導體激光器掩蔽膜,形成聚酰亞胺掩蔽膜,因為聚酰亞胺具有較好的塑性,避免了氧化物掩蔽工藝所形成的介質膜與激光晶片不匹配所形成的表面應力,保證了所制成器件的可靠性。本發明利用常規的光刻方法,省略了制作氧化物等步驟,簡化了工藝,提高工作效率達15%以上。 |
