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IXYS 六單元IGBT模塊 | |||||
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型 號(hào) |
技術(shù)指標(biāo) |
報(bào)價(jià) |
型 號(hào) |
技術(shù)指標(biāo) |
報(bào)價(jià) |
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MWI 25-12A7 |
35A(80 ℃ )/1200V |
面議 |
MWI 50-12E7 |
62A(80 ℃ )/1200V/V set =2.4V |
面議 |
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MWI 35-12A7 |
44A(80 ℃ )/1200V |
MWI 75-12E8 |
90A(80 ℃ )/1200V/V set =2.5V | ||
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IXYS 二單元IGBT模塊、IXGN 模塊 | |||||
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型號(hào) IGBT |
技術(shù)指標(biāo) |
報(bào)價(jià) |
型號(hào) IXGN |
技術(shù)指標(biāo) |
報(bào)價(jià) |
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MID 75/12A3 |
75A/1200V/2U |
面議 |
50N60BD3 |
50A/600V 1 個(gè) IGBT+ 一個(gè)二極管 |
面議 |
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MID 100/12A3 |
100A/1200V/2U |
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