B、晶體振蕩器的分類:

按照其功能類型可分為四種：
SPXO  簡單封裝晶體振蕩器
VCXO  電壓控制晶體振蕩器
TCXO  溫度控制晶體振蕩器 溫度補(bǔ)償晶體振蕩器
OCXO  恒溫晶體振蕩器 溫度控制晶體振蕩器

C、常規(guī)批量生產(chǎn)可達(dá)到的穩(wěn)定度：
                 SPXO       VCXO      TCXO         OCXO
 0 to 70℃      10 ppm     10 ppm    0.1 ppm     0.005 ppm
-20 to 70℃     25 ppm     25 ppm    0.3 ppm     0.01 ppm
-40 to 85℃     30 ppm     30 ppm    0.5 ppm     0.03 ppm
-55 to 125℃    50 ppm     50 ppm    1.0 ppm       N/A

工作溫度范圍內(nèi)的穩(wěn)定度要求 典型應(yīng)用             振蕩器類型
±0.2ppm           電信傳輸設(shè)備的時鐘基準(zhǔn)           OCXO
±0.2～±0.5ppm 電信傳輸設(shè)備的Stratum 3時鐘基準(zhǔn)    OCXO,帶模擬集成電路的TCXO
±0.5～±1.0ppm 軍用無線電設(shè)備,E-911蜂窩電話定位器 帶模擬集成電路的TCXO
±1.0～±2.5ppm 移動無線電設(shè)備(例如應(yīng)急通信設(shè)備) 帶模擬集成電路的TCXO
±2.5～±10ppm     移動電話 帶電熱調(diào)節(jié)的TCXO
±10～±20ppm     傳真機(jī) TCXO,VCXO,SPXO   
    > ±20ppm   計算機(jī)時鐘信號源 SPXO/XO

D、晶體振蕩器主要技術(shù)指標(biāo):
1）標(biāo)稱頻率
2）中心頻率偏差
3）頻率調(diào)整范圍（機(jī)械或壓控）
4）工作溫度范圍
5）壓控特性（電壓范圍、極性、線性度、壓控輸入阻抗）
6）輸出波形（正弦波； 方波：上升/下降沿時間、占空比、高/低電平）
7）工作電流、功耗
8）電壓變化頻率穩(wěn)定度
9）負(fù)載變化頻率穩(wěn)定度
10）溫度頻率穩(wěn)定度
11）負(fù)載能力
12）頻率老化（長期頻率穩(wěn)定度）
13）短期頻率穩(wěn)定度
14）相位噪聲
15）開機(jī)特性

E、晶體振蕩器-SPXO:
簡單封裝晶體振蕩器，沒有電壓控制和溫度補(bǔ)償，頻率溫度特性取決于晶體單元，
稱為SPXO（Simple Packaged Crystal Oscillator ）或時鐘（Clock）。

F、溫度補(bǔ)償晶體振蕩器-TCXO:
1.直接溫度補(bǔ)償晶體振蕩器
2.間接溫度補(bǔ)償晶體振蕩器

G、恒溫晶體振蕩器 - OCXO
近年來，由于技術(shù)的發(fā)展，OCXO多采用功率器件直接加熱的方法，只有一些指標(biāo)要求很高的OCXO才使用恒溫槽。

H、OCXO主要技術(shù)指標(biāo)定義的IEC標(biāo)準(zhǔn)

1）標(biāo)稱頻率（Nominal frequency）
   振蕩器標(biāo)明的工作頻率。
2）中心頻率偏差 (Frequency accuracy)
   在基準(zhǔn)點溫度環(huán)境（25 ± 2 ℃ ）和中心控制電壓時，測得的頻率值與標(biāo)稱頻率的偏差。
3）頻率調(diào)諧范圍（Frequency adjustment range）
   用某種可變元件使振蕩器頻率能夠改變的頻率范圍。
   注：調(diào)整的目的：
      1）把頻率調(diào)到規(guī)定調(diào)整范圍內(nèi)的任一特定值。
      2）由于老化和其它條件變化而引起頻率偏移后，能夠把振蕩器頻率修正到規(guī)定值。
      調(diào)整的方式：
      3）調(diào)節(jié)方式有機(jī)械調(diào)節(jié)和電壓調(diào)節(jié)兩種
      4）可變元件通常指變?nèi)荻O管、多圈電位器等。
4）工作溫度范圍 (Operating temp. range)
  振蕩器能夠正常工作，其頻率及其它輸出信號性能均不超過規(guī)定的允許偏差的溫度范圍。
  注：1）工作溫度范圍的下限越低，振蕩器功耗越大，同時頻率溫度穩(wěn)定度越難實現(xiàn)。
      2）工作溫度范圍的上限越高，晶體拐點設(shè)置越高， 晶體成本上升越多。
5）壓控特性（電壓范圍、極性、線性、壓控輸入阻抗）
當(dāng)控制電壓變化時，引起的振蕩器輸出的頻率、波形特征等電特性的變化。
注：1）電壓范圍：用來調(diào)節(jié)頻率的電壓的可調(diào)范圍。常見的有0～3.3V,  0.3～3.0V, 0～ 5V, 0.5～4.5V等。 
    2）壓控范圍：壓控電壓在電壓范圍內(nèi)變化的時候，振蕩器的頻率能夠變化的范圍。
    3）極性：當(dāng)振蕩器的頻率隨壓控電壓的增加而增加的時候，壓控極性為正極性，反之為負(fù)極性。
    4）線性度：理想的壓控電壓和頻率變化量的關(guān)系是線性的， 但實際上總會有所偏差， 這個偏差就是
       表征理想程度的壓控線性度， 通常用百分比表示。
    5）如果系統(tǒng)不能給出穩(wěn)定的電壓信號， 或者對輸出頻率有嚴(yán)格的控制要求時， 通常振蕩器可以自己給
       出經(jīng)過穩(wěn)壓后的精準(zhǔn)的電壓供壓控電壓用， 這個精準(zhǔn)的電壓就是參考電壓。
6）輸出波形（Output waveform）    正弦: 負(fù)載能力
   方波: 上升沿時間、下降沿時間、占空比、高/低電平
振蕩器工作時輸出的波形及波形的具體特性。
注：常見輸出波形及輸出特性指標(biāo)：
  1）正弦波（Sine）：諧波抑制（Harmonic attenuation）、
     雜波抑制（Noise attenuation ）、負(fù)載（Load）、輸出幅度（Output level）。
  2）削峰正弦波（Clipping Sine）：負(fù)載（Load）、輸出幅度（Output level）。
  3）方波（Square）：又分為MOS和TTL兩類輸出。
     負(fù)載（Load）、占空比（Duty cycle）、上升/下降時間（Rise/fall time）、
     高低電平（“1” and “0” level）。
7）工作電流、功耗 (Input current, power consumption)
8）頻率溫度穩(wěn)定度 (Frequency stability over temp.)
   其它條件不變時，由于振蕩器工作在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)引起的相對于基準(zhǔn)溫度時的頻率偏移。
9）負(fù)載變化頻率穩(wěn)定度 (Frequency stability Vs voltage+/-5% )
   其它條件不變時，由于負(fù)載阻抗在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對于規(guī)定的負(fù)載條件時的頻率偏移。
10）電源變化頻率穩(wěn)定度 (Frequency stability Vs Load+/-10% )
    其它條件不變時，由于電源電壓在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對于規(guī)定的電源電壓時的頻率偏移。
11）老化率（長期頻率穩(wěn)定度）(Aging , long term stability)
    振蕩器頻率與時間之間的關(guān)系。
    注: 這種頻率漂移是石英晶體或/和電路中的其它元器件的長期變化造成的，可以用規(guī)定時間間隔內(nèi)平均頻率的相對變化來表示。
       頻率老化是不可避免的。同時方向可能為正也可能為負(fù)。
       又稱為日老化率、長穩(wěn)等。
12）短期頻率穩(wěn)定度(Short term stability)
      振蕩器短時間內(nèi)的頻率隨機(jī)起伏程度。
    注:以秒為單位，又稱為秒基穩(wěn)定度、秒穩(wěn)、短穩(wěn)等。
13）相位噪聲(Phase noise)
    振蕩器短期頻率穩(wěn)定度的頻域量度，通常用相應(yīng)起伏功率譜密度SΨ(f) 表示，其中相位起伏函數(shù)為Ψ(f)=2πFt-2πF0t
    注:抖動是振蕩器短期頻率穩(wěn)定度的時域量度，實際上和相位噪聲都是頻率短期穩(wěn)定度的一種度量方式。
14)其他指標(biāo)：功耗,開機(jī)特性,重現(xiàn)性,可工作溫度范圍,抗機(jī)械沖擊性能,抗電脈沖沖擊性能,存儲溫度范圍, 重力加速度頻率穩(wěn)定度,恒溫報警,三態(tài)控制.

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OCXO    Oven controlled Crystal Oscillators   恒溫晶振

一、應(yīng)用                  

通訊、航空、航天、軍事、移動通信、數(shù)字程控交換機(jī)、網(wǎng)絡(luò)傳輸、接入網(wǎng)、光傳輸、雷達(dá)、導(dǎo)航、電子對抗、無線通信、測試設(shè)備、鎖相環(huán)電路SDH、SONET、ATM、WLL、PCS基站、蜂窩基站、頻率合成器

二、主要技術(shù)指標(biāo)

1)Frequency Range 頻率范圍:1.00-200.00MHz

2.5MHz,3.2MHz,4.608MHz,4.096MHz,5MHz,5.12MHz,6.4MHz,6.5MHz,6.72996MHz,
8.192MHz,9.216MHz,10MHz,10.24MHz,12MHz,12.24MHz,12.288MHz,12.8MHz,13MHz,14.4MHz,

14.7456MHz,14.85MHz,16MHz,16.32MHz,16.368MHz ,16.384MHz,16.8MHz,17MHz,

18.432MHz,19.2MHz,19.44MHz,19.68MHz,19.7985MHz,19.8MHz,20MHz,20.46MHz,20.48MHz,

20.82857MHz,24MHz,24.576MHz,25MHz,25.6MHz,26MHz,26.451788MHz,27MHz,29.952MHz,

32MHz,32.768MHz,33MHz,36.864MHz,38MHz,38.88MHz,40MHz,50MHz,61.44MHz,77.76MHz,
100MHz,120MHz,122.88MHz,140MHz,160MHz,180MHz,200MHz

2)SC Cut OCXO   AT Cut OCXO

3)Initial Calibration 頻率準(zhǔn)確度: A ≤±0.5ppm @25℃    B ≤±0.1ppm @25℃ 

                                  C ≤±0.05ppm @25℃   D ≤±0.01ppm @25℃  

4)Frequency Adjustment 頻率調(diào)整:  1 ≥ ±0.5ppm  2 ≥ ±1.0ppm  3 ≥ ±3.0ppm

                                  4 ≥ ±5.0ppm  5 ≥ ±7.0ppm  6 ≥ ±10ppm

5)Control Voltage壓控電壓 ： 0 - 5V

6)Operating Temperature 工作溫度范圍: E    0-+50℃  F  -10-+60℃  G  -20-+70℃ 

H  -30-+75℃  I  -40-+75℃  J  -40-+85℃

7)Frequency Stability 溫度頻率穩(wěn)定度: 1 ppb = ppm 1/1000

K  ±0.1ppm     L  ±0.05ppm    M  ±0.03ppm     N  ±0.02ppm

O  ±0.01ppm    P ±0.03ppm     Q  ±0.005ppm    R  ±0.001ppm

8)Output Waveform 輸出波形: 1 HCMOS            2  TTL                 3 ACMOS

4 Sine   輸出電平   ≥+2dBm    ≥+5dBm    @ 50Ω

諧波抑制   ≤-20dBc   ≤-30dBc   @ 50Ω

雜波抑制   ≤-70dBc   ≤-75dBc   @ 50Ω

5 Clipped Sine      ≥1Vp-p    10kΩ//10pF

9)Supply Voltage 工作電壓范圍: S 3.3V   T 5.0V   U 12.0V   W  15.0V

10)Power Consumption 功耗：Warm up 開機(jī) ≤3.5W-7.0W 

                           @25℃   穩(wěn)定 ≤1.2W-3.5W
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