中國發光二極管LED用襯底材料市場競爭現狀分析與發展潛力研究報告2016-2021年
【報告編號】: 127522
【出版時間】: 2016年4月
【出版機構】: 中研智業研究院
【交付方式】: EMIL電子版或特快專遞
【報告價格】:【紙質版】:6500元 【電子版】: 6800元 【紙質+電子】: 7000元
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第一章 半導體照明（LED）產業概述
     1.1 半導體照明（LED）產業背景環境
     1.2 LED 產業鏈主要產品、分類及應用
     1.3 半導體照明產業鏈的各個重要環節及其特點
     1.3.1半導體照明產業概述
     1.3.2上游環節產業鏈
     1.3.3中游環節（芯片制備）產業鏈
     1.3.4下游環節（封裝和應用）產業鏈
     1.3.5全國主要半導體產業基地及潛力點
     第二章全球及我國LED 產業現狀與發展
     2.1 全球半導體照明產業現狀
     2.1.1全球半導體照明產業格局現狀及發展
     2.1.2全球半導體照明產業重點區域及企業現狀
     2.2 中國LED市場現狀
     2.2.1中國LED市場地位與現狀
     2.2.2中國LED外延及芯片環節現狀分析
     2.2.3中國LED封裝環節現狀分析
     2.2.4中國LED應用領域現狀分析
     2.2.5 2015年我國LED產業發展特點
     2.3 中國LED發展預測
     2.3.1政策支持
     2.3.2投資分析
     2.3.2.1 投資結構分析
     2.3.2.2 投資資金分析
     2.3.2.3 投資區域分析
     2.3.2.4 2015年LED產業投資建議
     第三章 LED用襯底材料概述
     3.1襯底材料的類型及在LED產品中的作用
     3.2 LED芯片常用襯底材料選用比較
     3.3 LED用襯底材料相關政策資源分析
     3.4 LED用襯底材料相關產業分析
     第四章藍寶石篇
     4.1藍寶石襯底概述
     4.1.1藍寶石襯底概念
     4.1.2藍寶石單晶晶體物理性能
     4.1.3藍寶石襯底主要類型和應用領域
     4.1.4藍寶石襯底主要技術參數及工藝路線
     4.1.5藍寶石襯底標準
     4.1.6藍寶石基板應用種類
     4.2 國內外藍寶石襯底行業現狀與發展
     4.2.1國外行業發展現狀與企業介紹
     4.2.2國外企業及其產品簡介
     4.2.2.1 Rubicon
     4.2.2.2 STC
     4.2.2.3 Monocrystal
     4.2.2.4越峰電子材料股份有限公司
     4.2.2.5 日本的京都陶瓷（Kyocera）
     4.2.2.6 并木精密寶石工業
     4.2.2.7 Astek
     4.2.2.8其它
     4.2.3國內藍寶石襯底行業發展現狀
     4.2.4國內主要藍寶石單晶生產企業簡介
     4.2.5國內藍寶石長晶爐市場情況
     4.3 我國LED產業對藍寶石襯底的需求分析
     4.4 藍寶石襯底生產技術分析
     4.4.1目前藍寶石單晶主要生長技術分析
     4.4.2國內外主要技術發展趨勢
     第五章碳化硅篇
     5.1 碳化硅襯底概述
     5.1.1碳化硅襯底概念
     5.1.2碳化硅性質
     5.1.3碳化硅主要類型及應用領域
     5.1.4碳化硅襯底標準
     5.2 國內外碳化硅襯底產業及市場分析
     5.2.1國外SiC晶片市場分析
     5.2.2國外企業及其產品介紹
     5.2.2.1 CREE
     5.2.2.2 SiCrystal
     5.2.2.3道康寧
     5.2.2.4新日鐵集團
     5.2.2.5普利司通
     5.2.3國內SiC晶片生產及需求分析
     5.2.4國內SiC晶片技術發展趨勢
     5.2.5國內研發、生產企業及其產品簡介
     5.3 國內外碳化硅襯底行業的需求分析
     5.3.1國內市場對碳化硅襯底的需求分析
     5.3.2軍事領域對碳化硅襯底的需求分析
     5.4 碳化硅襯底技術分析
     5.4.1國外碳化硅技術現狀分析
     5.4.2國內碳化硅生產技術與研究現狀
     第六章硅襯底篇
     6.1 硅襯底概述
     6.1.1硅襯底概念
     6.1.2硅襯底材料的優勢
     6.1.3部分涉及單晶硅及硅拋光片國家及SEMI標準
     6.2 國內外市場對硅襯底材料市場的需求
     6.2.1 LED產業對硅襯底材料的需求潛力分析
     6.2.2硅襯底材料在其他新興領域的需求
     6.3 國內硅襯底生產技術分析
     第七章砷化鎵篇
     7.1 砷化鎵材料概述
     7.1.1砷化鎵的概念
     7.1.2砷化鎵分類
     7.1.2.1 按照應用領域不同分類
     7.1.2.2 按照工藝方法不同的分類
     7.1.3砷化鎵生長方法概述
     7.2 國內外砷化鎵材料的發展
     7.2.1境外砷化鎵材料的發展
     7.2.2境外砷化鎵材料市場的發展
     7.2.3境外砷化鎵企業的現狀與發展
     7.2.4國內砷化鎵材料的現狀及發展
     7.2.5國內砷化鎵企業的現狀
     7.3 砷化鎵外延片的加工
     7.3.1砷化鎵外延片的工藝法
     7.3.1.1 氣相外延
     7.3.1.2 液相外延
     7.3.1.3 分子束外延（MBE）
     7.3.1.4 MOCVD
     7.3.2 LED使用中對砷化鎵外延材料的性能要求
     第八章　其他襯底材料
     8.1氧化鋅
     8.1.1氧化鋅晶體概述
     8.1.2氧化鋅晶體應用及發展
     8.2 氮化鎵
     8.2.1氮化鎵晶體概述
     8.2.2氮化鎵晶體應用及發展
     8.3 硼化鋯
     8.3.1硼化鋯晶體概述
     8.3.2硼化鋯晶體應用及發展
     8.4 金屬合金
     8.4.1金屬合金襯底概述
     8.4.2金屬合金襯底應用及發展
     8.5 其他晶體材料
     8.5.1　鎂鋁尖晶石
     8.5.2　LiAlO2和LiGaO2
     圖1-1 LED主要產品構成圖
     圖1-2 LED制造工序
     圖1-3 LED各產業環節
     圖1-4 LED上游產業環節
     圖1-5 LED中游芯片產業環節
     圖1-6 LED下游封裝產業環節
     圖1-7 下游LED應用產品環節
     圖1-8 我國LED區域企業數量產業分布
     圖2-1 2015年我國半導體照明產業各環節產業規模
     圖2-2 2007~2015年我國LED芯片市場銷售情況
     圖2-3 我國LED封裝市場規模及增長率變化
     圖2-4 我國2015年半導體照明應用領域分布
     圖2-5 2011-2015年規劃投資額對比情況
     圖2-6 2015年規劃投資結構分布情況
     圖2-7 2015年規劃投資資金來源情況
     圖2-8 2015年規劃投資額區域分布情況
     圖3-1 LED 生產制程
     圖3-2 LED芯片基本結構
     圖3-3 藍寶石作為襯底的LED芯片
     圖3-4 采用藍寶石襯底與碳化硅襯底的LED芯片
     圖4-1 藍寶石CZ 拉晶法
     圖4-2 藍寶石晶體KY 泡生長晶法
     圖4-3 藍寶石襯底材料技術工藝路線
     圖4-4 藍寶石襯底LED芯片成本構成
     圖4-5 全球LED襯底主要廠商區域分布圖
     圖4-6 2015年藍寶石晶棒全球市占率分布狀況
     圖4-7 2015年藍寶石晶棒全球市占率分布
     圖4-8 2015年藍寶石襯底片全球市占率分布
     圖4-9 全球LED藍寶石襯底需求預測
     圖4-10 藍寶石襯底的消費市場占率分布
     圖4-6 2013~2015年Rubicon藍寶石晶棒月產能變化
     圖4-7 2013~2015年STC藍寶石晶棒月產能變化
     圖4-8 2013~2015年Monocrystal藍寶石晶棒月產能變化
     圖4-9 2013~2015年越峰藍寶石晶棒月產能變化
     圖4-10 2013~2015年京瓷藍寶石晶棒月產能變化
     圖4-11 2013~2015年并木藍寶石晶棒月產能變化
     圖4-12 2013~2015年Astek藍寶石晶棒月產能變化
     圖4-13 三星LED與住友化學合資成立LED用藍寶石新公司動向一覽
     圖4-14 國內主要藍寶石晶棒廠商所在位置一覽
     圖4-15 2013-2015國內上游環節產能和全球市場總需求及預測
     圖4-16 柴氏拉晶法(Czochralski method)之原理示意圖
     圖4-17 泡生法原理示意圖
     圖5-1 全球SiC市場區域分布比例
     圖5-2 美國國防部2005年碳化硅/氮化鎵HEMT的發展計劃
     圖6-1 硅襯底材料產品簡單生產過程
     圖6-2 Si襯底GnN基LED芯片結構圖
     圖7-1 早期GaAs晶體生長方法
     圖7-2 GaAS晶片市場規模
     圖7-3 世界砷化鎵市場發展
     圖7-4 日本砷化鎵需求的發展
     圖7-5 國內砷化鎵單晶生產線工藝方法所占比例
     圖 7-6 國內GaAs產品內銷與出口比重
     圖7-7 液相外延裝置的示意圖
     圖7-8 MBE裝置的示意圖
     圖7-9 分子束外延（MBE）設備
     圖7-10 MOCVD外延裝置的示意圖
     圖8-1 半導體化和物材料的禁帶寬度和晶格常數的關系
     圖8-2 ZrB2晶體結構示意圖
     圖8-3 采用金屬及藍寶石兩種襯底的GaN LED器件原理圖
  
     表1-1 我國主要LED廠商產業鏈分布
     表1-2 我國LED四大分布區域及其主要特點
     表2-1 2015年國內LED產量、芯片產量及芯片國產率
     表2-2 2015年國內LED投資項目一覽
     表3-1 各類外延襯底基片材料主要物理性能對比
     表3-2 各種襯底材料的綜合性能比較
     表4-1 藍寶石單晶片基礎物理參數
     表4-2 藍寶石產品類型
     表4-3 2英寸藍寶石單晶片規格
     表4-4 藍寶石襯底相關標準
     表4-5 全球LED襯底材料主要生產企業
     表4-6 2010年全球主要LED藍寶石基板生產廠商2英寸基板的厚度
     表4-7 藍寶石晶棒除了應用于LED產業的用途
     表4-8 2011-2015年全球前十大藍寶石襯底廠商產能情況
     表4-9 2012-2015中國本土藍寶石襯底企業15強
     表4-10 國內藍寶石企業近期項目投產計劃
     表4-11 國內研制藍寶石長晶爐的主要企業
     表4-12 藍寶石單晶制備方法統計
     表4-13 藍寶石單晶主要生長技術方法的比較
     表5-1 SiC襯底材料與硅及GaAs比較
     表5-2 功率器件（4H·n型）用SiC單晶的各廠商生產現況
     表5-3 SiC體單晶的生長技術比較
     表5-4 國際SiC產品的水平
     表7-1 砷化鎵基本性能參數
     表7-2 GaAs晶體生長的各種方法的分類
     表7-3 GaAs單晶各種生長工藝方法優缺點的比較
     表7-4 全球砷化鎵產業鏈構成
     表7-5 國內主要砷化鎵單晶生產廠家生產情況
     表7-6 國內砷化鎵單晶材料廠家的生產開發、生產情況
     表7-7 砷化鎵的外延片特性
     表8-1 列出了纖鋅礦GaN和閃鋅礦GaN的特性比較