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因產(chǎn)品配置不同, 價(jià)格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)
上海伯東代理美國考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 3.7“ 高= 3”
放電電壓 / 電流: 50-300eV / 5a
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體
伯東 KRI 霍爾離子源 eH 400 特性：
1.可拆卸陽極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), 最大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽極
2.寬波束高放電電流 - 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
3.多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng)
4.高效的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制
KRI 霍爾離子源 eH 400 技術(shù)參數(shù):
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型號(hào) |
eH 400 / eH 400 LEHO |
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供電 |
DC magnetic confinement |
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- 電壓 |
40-300 V VDC |
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- 離子源直徑 |
~ 4 cm |
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- 陽極結(jié)構(gòu) |
模塊化 |
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電源控制 |
eHx-3005A |
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配置 |
- |
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- 陰極中和器 |
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
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- 離子束發(fā)散角度 |
> 45° (hwhm) |
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- 陽極 |
標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved |
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- 水冷 |
前板水冷 |
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- 底座 |
移動(dòng)或快接法蘭 |
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- 高度 |
3.0' |
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- 直徑 |
3.7' |
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- 加工材料 |
金屬 |
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- 工藝氣體 |
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
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- 安裝距離 |
6-30” |
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- 自動(dòng)控制 |
控制4種氣體 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder
KRI 霍爾離子源 eH 400 應(yīng)用領(lǐng)域:
1.離子輔助鍍膜 IAD
2.預(yù)清潔 Load lock preclean
3.In-situ preclean
4.Low-energy etching
5.III-V Semiconductors
6.Polymer Substrates
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