- 產品
- 供應
- 公司
- 新聞
|
|
||||||||||||||||||||||||||||
因產品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實際成交合同為準
KRI 射頻離子源 RFICP 140
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中，射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現(xiàn)更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務. 就標準的型號而言, 可以在離子能量為 100~1200 eV 范圍內獲得很高的離子密度. 可以輸出最大 600 mA 離子流.
KRI 射頻離子源 RFICP 140 技術參數(shù):
|
陽極 |
電感耦合等離子體 |
|
最大陽極功率 |
1kW |
|
最大離子束流 |
> 500mA |
|
電壓范圍 |
100-1200V |
|
離子束動能 |
100-1200eV |
|
氣體 |
Ar, O2, N2,其他 |
|
流量 |
5-40sccm |
|
壓力 |
< 0.5mTorr |
|
離子光學, 自對準 |
OptiBeamTM |
|
離子束柵極 |
14cm Φ |
|
柵極材質 |
鉬, 石墨 |
|
離子束流形狀 |
平行,聚焦,散射 |
|
中和器 |
LFN 2000 |
|
高度 |
25.1 cm |
|
直徑 |
24.6 cm |
|
鎖緊安裝法蘭 |
12”CF |
KRI 射頻離子源 RFICP 140 應用領域：
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡方式:
上海伯東: 羅先生 臺灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯東版權所有, 翻拷必究!
