上海某大學(xué)實驗室采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 , 通入氬氣和氮?dú)? 在流量比分別為 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL/min)/(mL/min))條件下制備 NGZO 薄膜.

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

實驗室通過 XRD 和 SEM 對薄膜的物相結(jié)構(gòu)和表面形貌進(jìn)行分析,通過紫外可見分光光度計和霍爾效應(yīng)測試儀對薄膜透過率和載流子濃度、遷移率及薄膜電阻率進(jìn)行研究.

實驗結(jié)果:

通過與未摻入 N 的 Ga 摻雜氧化鋅 (GZO) 薄膜相比, 在可見光區(qū), 尤其是 600~800 nm 范圍內(nèi), NGZO 薄膜平均透過率在80%以上,符合透明導(dǎo)電薄膜透過率的要求.

在 N-Ga 共摻雜薄膜中, N 的摻雜主要占據(jù) O 空位, 并吸引空位周圍的電子, 這減小了薄膜晶格畸變, 并產(chǎn)生電子空穴, 最終使得薄膜中電子載流子濃度降低, 空穴載流子濃度增加, 電阻率有所增加.

隨著氮?dú)饬髁康淖兓? 發(fā)現(xiàn)在 25 mL/min 時, 薄膜具有zui佳的綜合性能. 這種薄膜可用于紫外光探測器等需較大電阻率的應(yīng)用中, 并有望實現(xiàn) n-p 型轉(zhuǎn)化. 

KRI 離子源的獨(dú)特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

KRI 離子源是領(lǐng)域公認(rèn)的, 已獲得許多專利. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的過程中.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機(jī), 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的代理商.

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