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日本advance電弧等離子體氣相沉積源 APS-1

產(chǎn)品價格：	1/人民幣
最后更新：	2021-03-05 16:02:14
產(chǎn)品產(chǎn)地：	本地
發(fā)貨地：	本地至全國 (發(fā)貨期：當(dāng)天內(nèi)發(fā)貨)
供應(yīng)數(shù)量：	不限
有效期：	長期有效
最少起訂：	1
瀏覽次數(shù)：	111

公司基本資料信息

深圳市秋山貿(mào)易有限公司
黃婧文小姐銷售
會員[試用會員產(chǎn)品]
郵件akiyama_huang@163.com
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地址廣東省深圳市龍華街道

產(chǎn)品詳細(xì)說明

電弧等離子體氣相沉積源 APS-1

同時蒸鍍不同的“目標(biāo)”。
通過在現(xiàn)有的APD系列電弧等離子體納米粒子形成裝置和現(xiàn)有的真空室中增加氣相沉積源，可以同時氣相沉積不同的“靶”，從而生產(chǎn)具有新特性的材料。

應(yīng)用

利用多個氣相沉積源生產(chǎn)化合物
在您的真空室中增加

特點

納米粒子的尺寸比以往的濕法更加均勻，因此可以生成高活性的催化劑
納米顆粒的粒徑可從1.5nm到6nm不等
通過改變氣氛，可以很容易地生成氧化物和氮化物
可沿任意方向安裝ICF070（VG50）凸緣
無需水冷設(shè)備，易于維護(hù)

參數(shù)

目標(biāo)尺寸	φ10mm×長17mm
基板尺寸	2英寸（50mm）
成膜速度	0.01 nm/s ～ 0.3 nm/s ^*1
膜厚分布	對于Fe:< ±10%（φ20mm區(qū)域）^*1
成膜材料	一般導(dǎo)電材料^*2

＊1 目標(biāo)到電路板距離80mm時
＊2 靶比電阻0.01歐姆或更小

動作圖像

實用程序

設(shè)備配置圖

電源:單相AC200V±10%2kVA
尺寸
? 電容器盒:W110×D320×H200（mm）
? 真空部:φ34×L200（mm）
? 電源:W 200×D 360×H 200（mm）
? 控制器:W 240×D 400×H 200（mm）

※電源和控制器安裝在機架中

參考圖像

碳粉攜帶Pt納米粒子的TEM圖像
在碳的凹凸不平的表面上均勻地進(jìn)相沉積。
聚集納米顆粒
隨著鏡頭數(shù)的增加，聚集開始。
薄膜（連續(xù)晶格圖像）
納米顆粒被層壓以形成納米薄膜。

擴(kuò)展示例

實施例1 增設(shè)至真空室

例2本公司裝置增設(shè)到APD-1P

表1目標(biāo)使用結(jié)果表

1A

2A

3A

4A

5A

6A

7A

8

1B

2B

3B

4B

5B

6B

7B

0

1

H

He

2

Li

Be

B

C

N

O

F

Ne

3

Na

Mg

Al

Si

P

S

Cl

Ar

4

K

Ca

Sc

Ti

V

Cr

Mn

Fe

Co

Ni

Cu

Zn

Ga

Ge

As

Se

Br

Kr

5

Rb

Sr

Y

Zr

Nb

Mo

Tc

Ru

Rh

Pd

Ag

Cd

In

Sn

Sb

Te

I

Xe

6

Cs

Ba

Lanthanoid

Hf

Ta

W

Re

Os

Ir

Pt

Au

Hg

TI

Pb

Bi

Po

At

Rn

7

Fr

Ra

Actinoid

已實現(xiàn) 使用條款有限

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