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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 成功用于多靶磁控濺射鍍膜機(jī)

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產(chǎn)品價(jià)格: 11/人民幣 
最后更新: 2021-02-24 15:39:59
產(chǎn)品產(chǎn)地: 美國
發(fā)貨地: 本地至全國 (發(fā)貨期:當(dāng)天內(nèi)發(fā)貨)
供應(yīng)數(shù)量: 不限
有效期: 長期有效
最少起訂: 1
瀏覽次數(shù): 155
詢價(jià)  試用會(huì)員產(chǎn)品
  • 公司基本資料信息
    • 伯東企業(yè)(上海)有限公司
    • 先生 
    • 會(huì)員[試用會(huì)員產(chǎn)品]
    • 郵件marketing@hakuto-vacuum.cn
    • 手機(jī)15201951076
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    • 傳真
    • 地址上海市浦東新區(qū)新金橋路1888號(hào)36號(hào)樓7樓702室 201206
    • 進(jìn)入商鋪
     
    產(chǎn)品詳細(xì)說明

     OEM 廠商為了提高鍍膜機(jī)鍍膜的品質(zhì)其為客戶搭建的多靶磁控濺射鍍膜機(jī)的濺射源采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380, 清洗源采用 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000, 真空腔體搭配的是伯東 Pfeiffer 渦輪分子泵 HiPace 2300.

     

    KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):

    射頻離子源型號(hào)

    RFICP380

    Discharge 陽極

    射頻 RFICP

    離子束流

    >1500 mA

    離子動(dòng)能

    100-1200 V

    柵極直徑

    30 cm Φ

    離子束

    聚焦平行散射

    流量

    15-50 sccm

    通氣

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型壓力

    < 0.5m Torr

    長度

    39 cm

    直徑

    59 cm

    中和器

    LFN 2000

     

    KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000 技術(shù)參數(shù):

    離子源型號(hào)

    eH3000

    eH3000LO

    eH3000MO

    Cathode/Neutralizer

    HC

    電壓

    50-250V

    50-300V

    50-250V

    電流

    20A

    10A

    15A

    散射角度

    >45

    可充氣體

    Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others

    氣體流量

    5-100sccm

    高度

    6.0“

    直徑

    9.7“

    水冷

    可選

    F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current

     

    渦輪分子泵 HiPace 2300 技術(shù)參數(shù):

    型號(hào)

    接口 DN

    抽速 l/s

    壓縮比

    zui高啟動(dòng)壓強(qiáng)hPa

    極限壓力

    全轉(zhuǎn)速氣體流量hPa l/s

    啟動(dòng)時(shí)間

    重量

    進(jìn)氣口

    排氣口

    氮?dú)?/span>N2

    氦氣He

    氫氣 H2

    氮?dú)?/span>N2

    氮?dú)?/span>N2

    hPa

    氮?dú)?/span>N2

    min

    kg

    HiPace 2300

    250

    40

    1,900

    2,000

    1,850

    > 1X108

    1.8

    < 1X10–7

    20

    4

    34 – 47

     

    鍍膜機(jī)實(shí)際運(yùn)用案例:

    采用多靶磁控濺射鍍膜機(jī)在 UO_2 陶瓷 IFBA 芯塊表面上濺射沉積 ZrB_2 涂層,與其他未引用 KRI 離子源和 Pfeiffer 分子泵的多靶磁控濺射鍍膜機(jī)相比引進(jìn) KRI 離子源和 Pfeiffer 分子泵后其鍍制的 ZrB_2 涂層附著力明顯提高涂層厚度更加均勻晶粒更加細(xì)小, 沉積率更高.

     

    KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.

     

    若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論,  請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式:

    上海伯東羅先生                               臺(tái)灣伯東王女士
    T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
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