KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 用于濺射沉積硅片金屬薄膜

某微電子制造商采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積硅片金屬薄膜.

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

磁控濺射法制備鋁膜是微電子工藝制備金屬薄膜最常用的工藝之一, 然而在使用磁控濺射設(shè)備制備鋁膜時, 往往會發(fā)現(xiàn)調(diào)用同一個工藝菜單, 制備出的鋁膜厚度會有所不同, 相差接近40%. 這對于制備高精度膜厚的鋁膜具有嚴重的影響.

KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

因此, 為了提高硅片金屬薄膜的均勻性，該制造才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵,  檢漏儀,  質(zhì)譜儀,  真空計,  美國 KRI 考夫曼離子源,  美國HVA 真空閥門,  美國 inTEST 高低溫沖擊測試機,  美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的代理商.

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