為了得到最佳性能的磁控濺射 Cu-W 薄膜, 某大學(xué)新材料研究所采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射技術(shù)在基片上沉積 Cu-W 膜.

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):

上圖為磁控濺射系統(tǒng)工作示意圖

KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的. 因此伯東的KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP380 被客戶采用作為 4, 5 濺射離子源.

客戶材料:

基片為φ25mmX4mm 的玻璃片, W 靶純度 99.9%, 尺寸 φ76mmX4mm, 銅靶純度 99.99%, 尺寸 φ76mmX4mm, 工作氣體為純度 99.99% 的氬氣.

運(yùn)行結(jié)果:

當(dāng) W 含量在11.1%時(shí), Cu-W 薄膜具有最好的硬度和耐磨性.

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門(mén), 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.

若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式:

上海伯東: 羅先生                               臺(tái)灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

伯東版權(quán)所有, 翻拷必究!