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Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 技術(shù)規(guī)格:
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真空腔 |
1 set, 主體不銹鋼,水冷 |
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基片尺寸 |
1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷卻, |
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離子源 |
? 8cm 考夫曼離子源 KDC75 |
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離子束入射角 |
0 Degree～± 90 Degree |
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極限真空 |
≦1x10-4 Pa |
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刻蝕性能 |
一致性: ≤±5% across 4” |
該 Hakuto 離子刻蝕機(jī) 7.5IBE 的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國(guó)考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 75
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伯東美國(guó) KRI 考夫曼離子源 KDC75 技術(shù)參數(shù)：
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離子源型號(hào) |
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Discharge |
DC 熱離子 |
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離子束流 |
>250 mA |
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離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
7.5 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
2-15 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長(zhǎng)度 |
20.1 cm |
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直徑 |
14 cm |
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中和器 |
燈絲 |
針對(duì)氮化硅刻蝕工藝中硅襯底刻蝕損失的問題, 為了提高氮化硅對(duì)二氧化硅的刻蝕選擇比, 采用 CF4, CH3F和O2這3種混合氣體刻蝕氮化硅, 通過調(diào)整氣體流量比, 腔內(nèi)壓強(qiáng)及功率, 研究其對(duì)氮化硅刻蝕速率、二氧化硅刻蝕速率及氮化硅對(duì)二氧化硅選擇比等主要刻蝕參數(shù)的影響.
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