hakuto 離子刻蝕機(jī) 10IBE 用于多晶黑硅損傷去除與鈍化性能研究

產(chǎn)品價(jià)格：	2000000/人民幣
最后更新：	2020-12-11 16:06:14
產(chǎn)品產(chǎn)地：	日本
發(fā)貨地：	本地至全國(guó) (發(fā)貨期：當(dāng)天內(nèi)發(fā)貨)
供應(yīng)數(shù)量：	不限
有效期：	長(zhǎng)期有效
最少起訂：	1
瀏覽次數(shù)：	127

公司基本資料信息

伯東企業(yè)(上海)有限公司
羅先生
會(huì)員[試用會(huì)員產(chǎn)品]
郵件marketing@hakuto-vacuum.cn
手機(jī)15201951076
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地址上海市浦東新區(qū)新金橋路1888號(hào)36號(hào)樓7樓702室 201206

產(chǎn)品詳細(xì)說(shuō)明

南京某材料科學(xué)學(xué)院結(jié)合 SiO₂ 納米球掩膜與立柱刻蝕技術(shù)制備了結(jié)構(gòu)呈周期性排列的多晶黑硅, 利用 hakuto 離子刻蝕機(jī) 10IBE 去除由荷能離子撞擊所帶來(lái)的損失層, 優(yōu)化了多晶黑硅結(jié)構(gòu).

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 技術(shù)參數(shù):

基板尺寸	< Ф8 X 1wfr
樣品臺(tái)	直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉(zhuǎn)
離子源	16cm 考夫曼離子源
均勻性	±5% for 4”Ф
硅片刻蝕率	20 nm/min
溫度	<100

Hakuto 離子刻蝕機(jī) 10IBE 離子源是配伯東公司代理美國(guó)考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 160

伯東美國(guó) KRI 考夫曼離子源 KDC160 技術(shù)參數(shù)：

離子源型號(hào)	離子源 KDC 160
Discharge	DC 熱離子
離子束流	>650 mA
離子動(dòng)能	100-1200 V
柵極直徑	16 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	2-30 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
中和器	燈絲

Hakuto 離子刻蝕機(jī) 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.

采用 Hakuto 離子刻蝕機(jī) 10IBE 可以去除損傷層, 保持原有黑硅結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上使表面結(jié)構(gòu)更加光滑.

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上海伯東 : 羅先生                               臺(tái)灣伯東 : 王小姐
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