- 產(chǎn)品
- 供應(yīng)
- 公司
- 新聞
|
|
||||||||||||||||||||||||||||
某光學(xué)器件制造商采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 應(yīng)用于光學(xué)器件精密加工, 通過蝕刻工藝提高光學(xué)器件的聚酰亞胺薄膜的表面光潔度.
.jpg)
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 技術(shù)參數(shù)
|
Φ4 inch X 12片 |
基片尺寸 |
Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
|
均勻性 |
±5% |
|
|
硅片刻蝕率 |
20 nm/min |
|
|
樣品臺 |
直接冷卻,水冷 |
|
|
離子源 |
Φ20cm 考夫曼離子源 |
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-J 的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220
.jpg)
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):
|
離子源型號 |
RFICP 220 |
|
Discharge |
RFICP 射頻 |
|
離子束流 |
>800 mA |
|
離子動能 |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
20 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
流量 |
10-40 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
|
中和器 |
LFN 2000 |
采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 可以使 PV、RMS分別為1.347μm和340nm的粗糙表面, 通過蝕刻其粗糙度可降低至75nm和13nm; PV、RMS分別為61nm和8nm的表面, 其粗糙度可降低至9nm和1nm. 該刻蝕工藝能有效提高光學(xué)器件聚酰亞胺薄膜的表面光潔度.
若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :
上海伯東 : 羅先生 臺灣伯東 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！
.jpg)