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Hakuto 全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL 3100 技術(shù)參數(shù):
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Model |
MEL3100 |
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Main body |
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Wafer size |
3"～6" |
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Power |
AC200V 3ph 40A |
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Wafer per batch |
1 wafer |
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*two lines |
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Cassette |
No. |
25 wafers |
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Cooling |
15 (l/min) |
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Q'ty |
1pc. |
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<20℃ |
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Throughput |
10 (wafer/hr) *1 |
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CDA |
0.5 (MPa) |
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Pressure |
Ultimate |
8×10-5 (Pa) *2 |
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>10 (l/min) |
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Process |
2×10-2 (Pa) *2 |
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N2 |
0.2 (MPa) |
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Etching |
Rate |
>10 (nm/min)@SiO2 *3 |
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>40 (l/min) |
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Uniformity |
±5%@132mm (6") *3 |
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Ar |
0.2 (MPa) |
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Wafer surface temp. |
<100℃ *3 |
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20 (sccm) |
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Stage rotating |
1～20 (rpm) ±5% |
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He |
0.2 (MPa) |
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Stage tilting |
±90°±0.5° |
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20 (sccm) |
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Dimension |
Main body |
1,600×2,175×1,900 |
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*need additional utilities |
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Controller |
640×610×1,900 |
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Chiller |
555×515×1,025 |
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Weight (kg) |
Main body |
1,700 |
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Controller |
200 |
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Chiller |
100 |
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*1: Estimated process time 5min |
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*2: No wafer on stege / process chamber |
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*3: Depending on process |
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Hakuto 全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL 3100 產(chǎn)品優(yōu)勢：
1. 所有流程全自動(dòng)減少人工操作, 從而保證了產(chǎn)品的無差錯(cuò)、高穩(wěn)定性和高質(zhì)量
2. 盒式房間采用高效微粒過濾器
3. 采用高質(zhì)量的蝕刻考夫曼離子源, 保證良好的均勻性和高蝕刻率
4. 占用空間小
5. 傳輸系統(tǒng)采用了 SCARA 型機(jī)器人
6. 控制單元系統(tǒng)提供操作通過觸摸屏/ 10.4英寸, 數(shù)據(jù)記錄可以顯示在屏幕上
7. 高冷卻效果
8. 良好的重復(fù)性和再現(xiàn)性的旋轉(zhuǎn)和傾斜階段具有良好的可重復(fù)性利用脈沖電動(dòng)機(jī)
9. 容易維護(hù)這個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)重點(diǎn)是容易維護(hù)和用戶友好
10. 關(guān)鍵部件服務(wù)伯東的經(jīng)銷商是系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件渦輪泵系統(tǒng)、離子源提供客戶快速響應(yīng)時(shí)間和本地服務(wù)能力,減少停機(jī)時(shí)間的工具
該 Hakuto 全自動(dòng)離子刻蝕機(jī) MEL3100的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP 380
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù)：
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射頻離子源型號(hào) |
RFICP 380 |
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Discharge 陽極 |
射頻 RFICP |
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離子束流 |
>1500 mA |
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離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
30 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
15-50 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
39 cm |
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直徑 |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
運(yùn)行結(jié)果:
1. 有效去除濺射沉積時(shí)帶來的污染物
2. 提高了薄膜磁盤的均勻度
3. 獲得具有高矯頑力、高剩磁、高穩(wěn)定性的連續(xù)薄膜型的記錄介質(zhì)
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