LN1R2N65PZAF3 高壓場效應(yīng)管MOSFET 4A 650V 1Ω 無線電/LRC

        "頁面標價非成交價，請聯(lián)系詳詢報價”    LRC/樂山無線電 全新原廠原裝高頻高壓功率控制開關(guān)管場效應(yīng)管，650V，4A，1Ω，N-Channel，高壓MOSFET：LN1R2N65PZAF3/N1R2N65PZAF3；電壓Vds：650V；電流Id：4A；內(nèi)阻Rds(on)：1000mΩ；封裝方式：TO-220F-3L；最小包裝數(shù)量：1000pcs/盒-管裝。

        本品采用內(nèi)置大尺寸芯片，具有適應(yīng)高電壓低內(nèi)阻高頻高效恢復等電氣特性特點。通用于電源、電器、適配器、充電器、充電樁、工控、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)特種電源、高頻電源、風光儲新能源、逆變器、伺服電機馬達等產(chǎn)品電路作控制、開關(guān)、整流、放大、鉗位、防反接、防逆回流等作用。LRC大芯片高電壓大電流低內(nèi)阻低漏電的分立式功率整流晶體開關(guān)管LN1R2N65PZAF3/N1R2N65PZAF3。