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英飛凌IGBT模塊FZ2400R17KF6C_B2_S1

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產(chǎn)品價(jià)格: 9999/人民幣 
最后更新: 2024-12-04 10:57:07
產(chǎn)品產(chǎn)地: 德國(guó)
發(fā)貨地: 北京 (發(fā)貨期:當(dāng)天內(nèi)發(fā)貨)
供應(yīng)數(shù)量: 不限
有效期: 長(zhǎng)期有效
最少起訂: 1
瀏覽次數(shù): 10
詢價(jià)  家家通會(huì)員產(chǎn)品
  • 公司基本資料信息
    • 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司
    • 周先生先生 經(jīng)理
    • 會(huì)員[家家通會(huì)員產(chǎn)品]
    • 郵件908429905@qq.com
    • 手機(jī)18612084398
    • 電話
    • 傳真
    • 地址北京市朝陽(yáng)區(qū)新華陽(yáng)光大廈11層
    • 進(jìn)入商鋪
     
    產(chǎn)品詳細(xì)說(shuō)明

    英飛凌IGBT模塊FZ2400R17KF6C_B2_S1

    北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊FZ2400R17KF6C_B2_S1

    產(chǎn)品詳細(xì)信息
    Infineon FZ1500R33HL3_S2單開(kāi)關(guān) IGBT 模塊配有 TRENCHSTOP ? IGBT3和發(fā)射器控制的 3 二極管。此模塊具有高功率密度和 AlSiC 基板,用于提高熱循環(huán)能力。
    VCES 為 3300 V
    IC 標(biāo)稱值為 1500 A
    ICRM 為 3000 A
    它可保持高電流密度

    DZ3600S17K3B2NOSA1
    FD1200R17KE3KB2NOSA1
    FD600R12KF4NOSA1
    FD800R17KE3B2NOSA1
    FD800R17KF6CB2NOSA1
    FF1200R17KE3B2NOSA1
    FF600R12KE3NOSA1
    FF600R17KE3NOSA1
    FF600R17KF6CB2NOSA1
    FF800R12KL4CNOSA1
    FF800R17KE3B2NOSA1
    FZ1000R12KF5NOSA1
    FZ1000R12KF5NDSA1
    FZ1200R12KF4NOSA1
    FZ1200R12KF5NOSA1

    FZ1200R12KF5
    FZ1200R12KL4C
    FZ1200R17KE3_B2
    FZ1200R17KF6C_B2
    FZ1600R12KL4C
    FZ1600R17KE3_B2
    FZ1800R17KE3_B2
    FZ2400R17KE3
    FZ2400R17KF6C_B2_S1
    FZ2400R17KF6C_B2_S1
    FZ3600R17KE3_B2

    產(chǎn)品特征描述:

    1. 提高工作溫度Tvj op
    2. 低開(kāi)關(guān)損耗
    3. 低 VCEsat
    4. Tvj op = 150°C
    5. 4 kV 交流 1 分鐘絕緣
    6. 封裝的 CTI > 400
    7. 高爬電距離和電氣間隙
    8. 銅基板
    9. UL 認(rèn)證

    產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):

    • 高功率密度
    • 標(biāo)準(zhǔn)封裝


    IGBT
    IGBT是什么?
    IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
    IGBT與MOSFET的對(duì)比
    MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。
    北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊FZ2400R17KF6C_B2_S1
    優(yōu)點(diǎn):熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
    缺點(diǎn):擊穿電壓低,工作電流小。
    IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。
    北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊FZ2400R17KF6C_B2_S1
    特點(diǎn):

    擊穿電壓可達(dá)1200V,集電極飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上,工作頻率可達(dá)20kHz。
    IGBT的典型應(yīng)用
    電動(dòng)機(jī)
    不間斷電源
    太陽(yáng)能面板安裝
    電焊機(jī)
    電源轉(zhuǎn)換器與反相器
    電感充電器
    電磁爐

    北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售西門子SIEMENS

    6SL3912、6SL3983、6SB2071、6SL3955、6SL3995、避雷器、互感器、電容、晶閘管、IGBT、驅(qū)動(dòng)板
    中壓變頻備件器、電源、操作面板、隔離開(kāi)關(guān)、風(fēng)機(jī)及其他系列;GH180羅賓康A(chǔ)1A/ASE((電路板、控制板、模塊)、LDZ(功率單元、模塊、互感器)等
    變頻器等備件 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司
    產(chǎn)品備件;
    6SE70變頻器:6SE70驅(qū)動(dòng)/功率/接口板、6SY7000電容、6SY7010晶閘管
    SIEMENS 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司
    M440/M430變頻器及備件;
    低壓傳動(dòng)
    S120變頻器:IGD A5E控制板﹔6RA直流調(diào)速器:6RA80、6RX、6RY17/18等備件。
    工業(yè)通訊及 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司
    A5EO8混合電纜;LDS備件A5E002/003等系列;
    分析儀 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司
    電源產(chǎn)品
    6EP19、6EP13、A5E30947477、A5E31006890、6EP1536-3AA00等系列;
    低壓電器
    3TC4、3TH4、3RA6、3UG4、3RP2、3RS1、3RN2、3RQ、3RB等系列;
    6BK、6DD、6DL、6DP及西門子各類系統(tǒng)軟件等備件;
    其他類
    ABB變頻器配件 晶閘管可控硅 傳感器 電容 IGBT IGCT 流互感器(ES2000、ESM2000)、

    3300V IGBT模塊型號(hào):

    FZ1000R33HL3_S2
    FZ1500R33HL3_S2
    FF200R33KF2C
    FZ400R33KF2C
    FZ800R33KF2C
    FZ1200R33KF2C
    IGBT模塊FZ1000R33HL3
    IGBT模塊FZ1000R33HE3
    IGBT模塊FZ1200R33HE3
    IGBT模塊FZ1500R33HE3
    IGBT模塊FZ1500R33HL3
    IGBT模塊FZ1600R33HE4
    IGBT模塊FZ1400R33HE4
    IGBT模塊FZ2400R33HE4
    IGBT模塊FF450R33T3E3
    IGBT模塊FZ825R33HE4D



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