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本公司大量專注回收IGBT模塊回收德國Infineon英飛凌、EUPEC優派克、SIEMENS西門子、西門康Semikron,IXYS艾賽斯、Mitsubishi三凌、Fuji富士、SanRex三社、TOSHIBA東芝、HITACHI日立,回收IGBT模塊、IGBT模塊按封裝工藝來看主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標準焊接式封裝為主,中低壓IGBT模塊則出現了很多新技術,如燒結取代焊接,壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝。
回收IGBT模塊、IGBT模塊的制造工藝流程:
1、IGBT模塊封裝是將多個IGBT集成封裝在一起,以提高IGBT模塊的使用壽命和可靠性,而IGBT模塊的市場需求趨勢則是體積更小、效率更高、可靠性更高,實現這些技術就有待于IGBT模塊封裝技術的研發。目前流行的IGBT模塊封裝形式有引線型、焊針型、平板式、圓盤式四種,常見的模塊封裝技術有很多,各生產商的命名也不一樣,如英飛凌的62mm封裝、TP34、DP70等等。IGBT模塊有3個連接部分,分別是硅片上的鋁線鍵合點、硅片與陶瓷絕緣基板的焊接面、陶瓷絕緣基板與銅底板的焊接面。這些接點的損壞都是由于接觸面兩種材料的熱膨脹系數相抵觸而產生的應力和材料的熱惡化造成的;
2、IGBT模塊封裝流程分別依次經歷一次焊接,一次邦線,接著二次焊接,二次邦線,然后組裝,上外殼,涂密封膠,等待固化,后灌硅凝膠,再進行老化篩選。這個工藝流程也不是死板的,主要看具體的模塊,有的可能不需要多次焊接或邦線,有的則需要,有的可能還有其他工序。上面也只是一些主要的流程工藝,其他還有一些工序,如等離子處理,超聲掃描,測試,打標等等。