TT104N12KOF三相可控硅IGBT模塊分式半導(dǎo)體德國英飛凌全新質(zhì)保

上海萱鴻電子技有限公司：

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SKND202E03穩(wěn)壓二極管可控硅模塊驅(qū)動芯片德國西門康原裝現(xiàn)貨

功率半導(dǎo)體的柵極電阻選型，一般有兩個優(yōu)化目標(biāo)。一方面，選擇電阻值較小的柵極電阻，可以使得功率半導(dǎo)體的開關(guān)速度更快。這將降低開關(guān)損耗，從而降低總體損耗。另一方面，選擇較大的柵極電阻可以降低開關(guān)速度，比如dvCE/dt或diC/dt。這可使柵極電路中發(fā)生的由寄生雜散電感或耦合電容引起的振蕩減少。因此，必須通過折中的辦法實現(xiàn)門極電阻的化配置。然而，只需管理特定的工況點（如臨時過載或輕載條件）就已足夠。這些條件的開關(guān)速度比應(yīng)用系統(tǒng)正常運(yùn)行時更慢。
電機(jī)驅(qū)動在低負(fù)荷條件下運(yùn)行是典型的輕載條件。由于來自二極管的換向電流很小所以流入IGBT的正向電流也很小，在對應(yīng)的IGBT開通速度太快時，可能造成嚴(yán)重振蕩。如果正向電流能達(dá)到標(biāo)稱電流[1]的25%或以上，則這些振蕩可以被大幅度地減弱甚至消除。
推薦的柵極驅(qū)動概念
正常的柵極驅(qū)動電路，一個柵極驅(qū)動器的開通電流和關(guān)斷電流大小取決于柵極電阻的柵極電流。電流iOUT+給功率晶體管的柵極充電，而電流iOUT-給功率晶體管的柵極放電。

每個功率晶體管配合兩個柵極驅(qū)動器，再加上獨(dú)立的開通/關(guān)斷電阻，可以作為改進(jìn)功率晶體管性能的簡單方法。只需使用兩顆柵極驅(qū)動芯片，即可實現(xiàn)開通電流能力或關(guān)斷電流能力的改進(jìn)。而且，相比使用功能相同的分立式解決方案，使用柵極驅(qū)動芯片還可減輕設(shè)計工作負(fù)擔(dān)。只需遵循常規(guī)設(shè)計準(zhǔn)則，即可獲得開通能耗Eon多降低25%和開通電流能力獲得改進(jìn)的益處。因此，推薦的柵極驅(qū)動概念比常規(guī)解決方案的表現(xiàn)更勝一籌。