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IGBT驅(qū)動(dòng)板DW.QD005-V12A6/9-F電除塵器電源

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產(chǎn)品價(jià)格: 9999/人民幣 
最后更新: 2024-06-20 14:27:47
產(chǎn)品產(chǎn)地: 瑞士
發(fā)貨地: 北京昌平區(qū) (發(fā)貨期:當(dāng)天內(nèi)發(fā)貨)
供應(yīng)數(shù)量: 不限
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詢價(jià)  家家通會(huì)員產(chǎn)品
  • 公司基本資料信息
    • 北京京誠宏泰科技有限公司
    • 周先生先生 經(jīng)理
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    產(chǎn)品詳細(xì)說明

    IGBT驅(qū)動(dòng)板DW.QD005-V12A6/9-F電除塵器電源

    北京京誠宏泰科技有限公司銷售供應(yīng)IGBT驅(qū)動(dòng)板DW.QD005-V12A6/9-F電除塵器電源

    銷售電除塵器 高頻電源 脈沖電源配件

    IGBT模塊;可控硅模塊;整流橋模塊;二極管模塊;電容;晶閘管;IPM模塊;半導(dǎo)體功率模塊;PLC模塊,風(fēng)機(jī),傳感器,驅(qū)動(dòng)板,主控板,電源板,變頻器配件

    DW.QD005-V12A6/9-F
    DW.MK006-V12A6-F
    DW.QD005-V12A6-F 1.2A
    DW.MK006-V12A6-I 1.2A

    MKPg0.48-25-3
    MKPg0.44-30-3
    MKPG0.48-36-3


    1 IGBT 門極驅(qū)動(dòng)要求

    1.1 柵極驅(qū)動(dòng)電壓

    因 IGBT 柵極 - 發(fā)射極阻抗大,故可使用 MOSFET 驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行驅(qū)動(dòng),但 IGBT 的輸入電容較 MOSFET 大,所以 IGBT 的驅(qū)動(dòng)偏壓應(yīng)比 MOSFET 驅(qū)動(dòng)所需偏壓強(qiáng)。圖 1 是一個(gè)典型的例子。在 +20 ℃情況下,實(shí)測(cè) 60 A , 1200 V 以下的 IGBT 開通電壓閥值為 5 ~ 6 V ,在實(shí)際使用時(shí),為獲得最小導(dǎo)通壓降,應(yīng)選取 Ugc ≥ (1.5 ~ 3)Uge(th) ,當(dāng) Uge 增加時(shí),導(dǎo)通時(shí)集射電壓 Uce 將減小,開通損耗隨之減小,但在負(fù)載短路過程中 Uge 增加,集電極電流 Ic 也將隨之增加,使得 IGBT 能承受短路損壞的脈寬變窄,因此 Ugc 的選擇不應(yīng)太大,這足以使 IGBT 完全飽和,同時(shí)也限制了短路電流及其所帶來的應(yīng)力 ( 在具有短路工作過程的設(shè)備中,如在電機(jī)中使用 IGBT 時(shí), +Uge 在滿足要求的情況下盡量選取最小值,以提高其耐短路能力 ) 。

    1.2 對(duì)電源的要求
    北京京誠宏泰科技有限公司銷售供應(yīng)IGBT驅(qū)動(dòng)板DW.QD005-V12A6/9-F電除塵器電源
    對(duì)于全橋或半橋電路來說,上下管的驅(qū)動(dòng)電源要相互隔離,由于 IGBT 是電壓控制器件,所需要的驅(qū)動(dòng)功率很小,主要是對(duì)其內(nèi)部幾百至幾千皮法的輸入電容的充放電,要求能提供較大的瞬時(shí)電流,要使 IGBT 迅速關(guān)斷,應(yīng)盡量減小電源的內(nèi)阻,并且為防止 IGBT 關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的 du/dt 誤使 IGBT 導(dǎo)通,應(yīng)加上一個(gè) -5 V 的關(guān)柵電壓,以確保其完全可靠的關(guān)斷 ( 過大的反向電壓會(huì)造成 IGBT 柵射反向擊穿,一般為 -2 ~ 10 V 之間 ) 。

    1.3 對(duì)驅(qū)動(dòng)波形的要求
    北京京誠宏泰科技有限公司銷售供應(yīng)IGBT驅(qū)動(dòng)板DW.QD005-V12A6/9-F電除塵器電源
    從減小損耗角度講,門極驅(qū)動(dòng)電壓脈沖的上升沿和下降沿要盡量陡峭,前沿很陡的門極電壓使 IGBT 快速開通,達(dá)到飽和的時(shí)間很短,因此可以降低開通損耗,同理,在 IGBT 關(guān)斷時(shí),陡峭的下降沿可以縮短關(guān)斷時(shí)間,從而減小了關(guān)斷損耗,發(fā)熱量降低。但在實(shí)際使用中,過快的開通和關(guān)斷在大電感負(fù)載情況下反而是不利的。因?yàn)樵谶@種情況下, IGBT 過快的開通與關(guān)斷將在電路中產(chǎn)生頻率很高、幅值很大、脈寬很窄的尖峰電壓 Ldi/dt ,并且這種尖峰很難被吸收掉。此電壓有可能會(huì)造成 IGBT 或其他元器件被過壓擊穿而損壞。所以在選擇驅(qū)動(dòng)波形的上升和下降速度時(shí),應(yīng)根據(jù)電路中元件的耐壓能力及 du/dt 吸收電路性能綜合考慮。

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    IGBT模塊;單管IGBT模塊;雙管半橋IGBT模塊;4單元H橋IGBT模塊;3單元IGBT模塊;6單元三相全橋IGBT模塊;
    三電平IGBT模塊;6500V高壓IGBT模塊;3300V高壓IGBT模塊;4500V高壓IGBT模塊;IPM模塊;PIM模塊;PLC模塊;GTR達(dá)林頓模塊 ;GTO晶閘管;普通晶閘管;北京京誠宏泰科技有限公司
    快速晶閘管; 二極管;快恢復(fù)二極管;整流橋;剎車整流器;單相整流橋;三相整流橋;全控整流橋;半控整流橋;可控硅;雙向可控硅;反并聯(lián)可控硅;驅(qū)動(dòng)板;北京京誠宏泰科技有限公司 關(guān)鍵詞
    IGBT驅(qū)動(dòng)板;可控硅驅(qū)動(dòng)板;可控硅觸發(fā)板;晶閘管觸發(fā)板; MOSFET管;場(chǎng)效應(yīng)模塊;電容;直流鋁電解電容;交流濾波電容;啟動(dòng)電容器;無功補(bǔ)償電容器;北京京誠宏泰科技有限公司 關(guān)鍵詞
    快熔;延時(shí)慢熔;智能功率模塊;智能晶閘管模塊;工業(yè)觸摸屏;操作面板;工控機(jī);變頻器整機(jī)及配件;軟啟動(dòng)器整機(jī)及配件;電力調(diào)整器整機(jī)及配件;
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