同時，經過國內市場的錘煉，仙工智能也開始篤行出海 深化全球布局的同時，仙工智能也在著力提升服務當地客戶的能力 今年 9 月底，仙工智能發布海外集成商策略，旨在通過招募更多海外集成商合作伙伴，增強仙工智能的區域影響力，發揮標準化產品組合的優勢 圖 1：EV 充電系統顯示用于柵極驅動器電路的 DCDC 轉換器及其相關的隔離式 DCDC 轉換器（：“Murata Power Technologies enabling application solutions for EV charging stations”，electronica 2022 Power Forum） 用于關斷的負柵極驅動能力Si IGBT 或 SiC 逆變器 MOSFET 具有負柵極驅動能力具有三個優勢：SiC MOSFET的閾值電壓 (V th ) 在較高溫度下下降，在 EV 充電條件下可低# 1.5 V
這是由于在導通時間內，一個大電壓差會施加于圖1 的L1兩端 在這個例子中，導通時間內電感兩端的電壓約為44.7 V，開關節點一側的電壓為48 V，輸出端電壓為3.3 V 電感電流通過以下公式計算：如果電感兩端有高電壓，在電感不變的情況下，電感中的電流會在固定時間內上升
