LD600-12XUI 電力儀表轄區小學配件

產品價格：	1/人民幣
最后更新：	2024-04-20 22:06:01
產品產地：	湖南
發貨地：	湖南 (發貨期：當天內發貨)
供應數量：	不限
有效期：	長期有效
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公司基本資料信息

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產品詳細說明

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LD600-12XUI 電力儀表轄區小學配件對于高壓器件（如前面提到的 DEMOS 和 LDMOS），漏極額定值可能遠高于柵極額定值（例如，漏極額定值為 20V，而柵極額定值僅為 3.3V）　因此，如圖所示的電路將無法工作，因為漏極和柵極基本上具有相同的電壓，從而導致柵極可靠性問題（圖 5）　
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拒絕空間管理挑戰，擺脫種種困局，在有限的空間內容納更多的功能組件，我的妙招就是　這種設計能大程度地減小連接器的占用空間，從而使控制器更小、更緊湊，滿足設備小型化設計需求的同時，確保為設備安全高效地傳輸配電　0156 和 0159 系列產品不僅省空間，更加節省接線時間　
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閾值電壓VGS(th)遵循器件的物理原理，隨著溫度的升高而下降，如圖1右側所示　圖1：45 mΩ 1200 V CoolSiC#8482　 MOSFET在室溫和175°C下的輸出特性(左)以及Ron和VGS(th)對溫度的依賴性(右) 圖1右側可見，CoolSiC#8482　
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MOSFET越來越多地被用于光伏、快速電動車充電基礎設施、儲能系統和電機驅動等工業應用　但與此同時，工程師也面臨著獨特的設計挑戰　實現更小的外形尺寸，同時保持功率變換系統的散熱性能，是相互矛盾的挑戰，但英飛凌創新的.XT技術與SiC技術提供了一個解決方案　
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LD600-12XUI 電力儀表轄區小學配件通常來說，在相同負載情況下，SiC技術比功率MOSFET和IGBT的損耗更低　這意味著該技術可以提高開關和載流效率，這些優勢在較高的中間電路電壓下大有可為　由于這些特性，SiC半導體特別適用于電池電壓和總儲能容量更高的電動汽車　由于SiC器件還能夠在更高的電壓下工作，因此可以實現車載充電解決方案，從而縮短充電時間，并降低總損耗　

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