BAM10.5-200-3W 紙質(zhì)電容雞冠區(qū)公園2023Q4價(jià)格

產(chǎn)品價(jià)格：	1/人民幣
最后更新：	2024-04-16 16:17:17
產(chǎn)品產(chǎn)地：	湖南
發(fā)貨地：	湖南 (發(fā)貨期：當(dāng)天內(nèi)發(fā)貨)
供應(yīng)數(shù)量：	不限
有效期：	長期有效
最少起訂：	1
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公司基本資料信息

醴陵聯(lián)洲電器有限公司
李工先生銷售
會(huì)員[試用會(huì)員產(chǎn)品]
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產(chǎn)品詳細(xì)說明

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BAM10.5-200-3W 紙質(zhì)電容雞冠區(qū)公園2023Q4價(jià)格比較這兩種 SiC MOSFET 的損耗與原始 IGBT 的損耗，可以看出能效有所提高（圖 5）　圖 5：與原始 Si IGBT 和第三代器件相比，第四代 SiC MOSFET 大幅降低了損耗　（ BAM10.5-200-3W 紙質(zhì)電容雞冠區(qū)公園2023Q4價(jià)格

來源：ROHM Semiconductor）與第三代器件相比，第四代器件的傳導(dǎo)損耗（藍(lán)色）從 10.7 W 降# 9.82 W　
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憑借單一封裝，更重要的是，無需外部組件，電源設(shè)計(jì)人員可以通過單總線輕松編程其解決方案　無輸入濾波器設(shè)計(jì)、無輸出濾波器設(shè)計(jì)、無反饋電阻、無環(huán)路補(bǔ)償設(shè)計(jì)、無需修改元件　”EP70xx 系列的峰值效率高達(dá) 91%　由于其獨(dú)特的架構(gòu)，輸出電流高達(dá) 10A 時(shí)效率曲線幾乎平坦　
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透過此規(guī)范，ET-2200 可將模塊信息及 IO 信息傳送予 SNMP 網(wǎng)絡(luò)管理設(shè)備或軟件 (SNMP Network Management Software)，以協(xié)助管理者實(shí)時(shí)監(jiān)控 ET-2200 的狀態(tài)
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　　 03　優(yōu)化余料和板材交互　余料可以直接導(dǎo)入到板材清單！　　　 04　精簡排版結(jié)果右鍵菜單　將操作范圍折疊，減輕視覺負(fù)擔(dān)　　　　 05　零件清單支持復(fù)制后批量粘貼更改　批量快速修改零件數(shù)量、優(yōu)先級(jí)、名稱等參數(shù)　　　　
圖片
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