GHW-12Z ENI 射頻等離子體發生器

  系列：GHW

  產品描述

  GHW-12Z ENI射頻等離子體發生器產生射頻等離子體。

  特征：

  具有自我尋址、自我定位、自動I/O檢測等特點。

  GHW-12Z ENI射頻等離子體發生器是一種高性能、高可靠性的射頻電源，專為產生射頻等離子體而設計。

  GHW-12Z ENI射頻等離子體發生器采用先進的射頻技術和控制電路，具有快速響應、高精度、高穩定性等特點。同時，它還具備自我保護和故障診斷功能，確保設備的長期穩定運行。

  GHW50 13.56 MHz、5 kW射頻等離子體發生器提供經過現場驗證的可靠性、卓越的穩定性和的可重復性，可實現高正常運行時間和工藝良率。GHW系列射頻等離子體發生器可提供208 VAC和400/480 VAC電壓。GHW RF等離子體發生器非常適合集成電路、平板顯示器和數據存儲設備制造過程中的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、高密度等離子體CVD(HDPCVD)、蝕刻和其他薄膜應用。

  應用領域

  GHW-12Z ENI射頻等離子體發生器廣泛應用于主要應用于半導體行業、材料科學、生物醫學等領域，如等離子體刻蝕、薄膜制備、表面處理等。