場源通常是對齊的,以便場線束穿透 IC 外殼的區(qū)域,從而使模具沿正交方向。這樣可以確保在口模的回路中獲得最*高的感應(yīng)效果(大約30V/mm2)。然而,在實(shí)踐中,干涉場通常與模具表面平行,因此不會(huì)穿透模具(見 EFT/脈沖場源探頭設(shè)置用戶手冊)。
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