(隨州金剛砂)生產廠家產量(隨州金剛砂)
碳化硅至少有70種結晶型態。α-碳化硅為常見的一種同質異晶物,在高于2000 °C高溫下形成,具有六角晶系結晶構造(似纖維鋅礦)。β-碳化硅,立方晶系結構,與鉆石相似,則在低于2000 °C生成,結構如頁面附圖所示。雖然在異相觸媒擔體的應用上,因其具有比α型態更高之單位表面積而引人注目,而另一種碳化硅,μ-碳化硅為穩定,且碰撞時有較為悅耳的聲音,但直至今日,這兩種型態尚未有商業上之應用。
因其3.2g/cm3的比重及較高的升華溫度(約2700 °C) [1] ,碳化硅很適合做為軸承或高溫爐之原料物件。在任何已能達到的壓力下,它都不會熔化,且具有相當低的化學活性。由于其高熱導性、高崩潰電場強度及高電流密度,在半導體高功率元件的應用上,不少人試著用它來取代硅[1]。此外,它與微波輻射有很強的耦合作用,并其所有之高升華點,使其可實際應用于加熱金屬。
純碳化硅為無色,而工業生產之棕至黑色系由于含鐵之不純物。晶體上彩虹般的光澤則是因為其表面產生之二氧化硅保護層所致。
物質結構
純碳化硅是無色透明的晶體。工業碳化硅因所含雜質的種類和含量不同,而呈淺黃、綠、藍乃至黑色,透明度隨其純度不同而異。
碳化硅晶體結構分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC(稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結構中碳和硅原子的堆垛序列不同而構成許多不同變體,已發現70余種。β-SiC于2100℃以上時轉變為α-SiC。碳化硅的工業制法是用優質石英砂和石油焦在電阻爐內煉制。煉得的碳化硅塊,經破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產品。
制作工藝
由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。常見的方法是將石英砂與焦炭混合,利用其中的二氧化硅和石油焦,加入食鹽和木屑,置入電爐中,加熱到2000°C左右高溫,經過各種化學工藝流程后得到碳化硅微粉。
碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料,但其應用范圍卻超過一般的磨料。例如,它所具有的耐高溫性、導熱性而成為隧道窯或梭式窯的窯具材料之一,它所具有的導電性使其成為一種重要的電加熱元件等。制備SiC制品首先要制備SiC冶煉塊[或稱:SiC顆粒料,因含有C且超硬,因此SiC顆粒料曾被稱為:金剛砂。但要注意:它與天然金剛砂(也稱:石榴子石)的成分不同。在工業生產中,SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料,輔助回收料、乏料,經過粉磨等工序調配成為配比合理與粒度合適的爐料(為了調節爐料的透氣性需要加入適量的木屑,制備綠碳化硅時還要添加適量食鹽)經高溫制備而成。高溫制備SiC冶煉塊的熱工設備是專用的碳化硅電爐,其結構由爐底、內面鑲有電極的端墻、可卸式側墻、爐心體(全稱為:電爐中心的通電發熱體,一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心,一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連)等組成。該電爐所用的燒成方法俗稱:埋粉燒成。它一通電即為加熱開始,爐心體溫度約2500℃,甚至更高(2600~2700℃),爐料達到1450℃時開始合成SiC(但SiC主要是在≥1800℃時形成),且放出co。然而,≥2600℃時SiC會分解,但分解出的si又會與爐料中的C生成SiC。每組電爐配備一組變壓器,但生產時只對單一電爐供電,以便根據電負荷特性調節電壓來基本上保持恒功率,大功率電爐要加熱約24 h,停電后生成SiC的反應基本結束,再經過一段時間的冷卻就可以拆除側墻,然后逐步取出爐料。

發達對廢機電、廢家電的處理非常重視,其歷史至少已經1年了。這些基本上采用集中收集和處理的辦法。如瑞士正在建造一座大型廢汽車處理廠以處理全瑞士每年報廢的汽車。處理工藝包括壓縮高溫焚燒去除汽車中的可燃物品、尾氣、飛灰和底灰處理,然后把完全去除有機物的鋼鐵材料送至鋼鐵廠作為原料煉鋼。其它廢機電和廢家電也含有有機物,必須先通過焚燒去除有機物,然后才能進一步利用。事實證明,廢機電和廢家電焚燒過程中其焚燒工藝和尾氣、飛灰和底灰處理的復雜程度不亞于一般城市生活垃圾焚燒過程。險廢物資源化技術發展趨勢盡管我國目前遇到的問題事實上是發達2~3年前遇到的問題,但各國的情況不一,國外的文獻資料報道中有借鑒作用,很不能全部照搬到國內。綜合利用是實現固體廢物資源化、減量化的重要的手段之一,危險廢物也當然也應該把綜合利用放在重要的位置來考慮。在廢物進入環境之前,對其加以回收利用,可以大大減輕后續處理的負荷,所以在考慮危險廢物處理處置的時候,首先要從經濟上考慮它是否有回收價值,處理或處置后是否也還有繼續利用的價值。
殘留溶劑殘留量是產品質量的關鍵指標,殘留是溶劑揮發不完全造成的,揮發通過傳質傳熱進行,影響揮發速度的根本因素是氣液平衡,氣相平衡濃度與實際濃度的差值形成傳質驅動力,濃度差與溫度、風量直接相關,在風量一定的情況下,溫度越高、濃度差越大,干燥越。凹版印刷機常用油墨配方中主要有乙酸乙酯、乙酸丙酯、異丙醇,三種溶劑在不同溫度下的飽和濃度參見下表,由于乙酸乙酯相對揮發速度高得多,所以殘留溶劑以乙酸丙酯和異丙醇為主,在復合機冷凝回收的溶劑中檢測出含量不低的乙酸丙酯和異丙醇驗證了此結論。
與微濾和超濾過程類似,良好的預處理對反滲透裝置長期穩定運行十分必要。其目的主要為:a.國去除懸浮固體和膠體,降低濁度;控制微生物的生長;與控制微溶鹽的沉積;進水溫度和pH值的調整;有機物的去除;舊金屬氧化物和硅的沉淀控制;等等。反滲透的預處理技術主要有:多介質過濾、活性炭過濾、保安過濾、微濾或超濾等。采用微濾或超濾作為預處理系統與其他方法相比更為。反滲透裝置本身根據原水的水質確定使用膜元件的類型,并根據對產水量和產水水質的要求,確定膜元件的數量、膜組件的排列方式和反滲透裝置的回收率、脫鹽率等參數。