KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380用于制備超薄 TEM 樣品

普通傳統(tǒng)的制樣減薄方法存在遠(yuǎn)端的薄區(qū)極易彎曲和薄區(qū)厚度不均勻的問題, 因此某機(jī)構(gòu)采用伯東KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 通過交叉減薄的方法制備超薄 TEM 樣品.

交叉減薄

交叉減薄的過程利用 TEM 樣品臺(tái)的旋轉(zhuǎn)來(lái)完成, 如下圖.

TEM 樣品臺(tái)模型圖

伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù):

推薦理由:

使用 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 可以準(zhǔn)確、靈活地對(duì)樣品選定的區(qū)域進(jìn)行刻蝕、沉積和減薄.

運(yùn)行結(jié)果:

1. 通過利用 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 和樣品臺(tái)交叉減薄得到的薄區(qū)非常均勻, 邊緣整齊. 相比較傳統(tǒng)減薄方法, 交叉減薄避免了樣品在傾斜52°和56°減薄時(shí)出現(xiàn)的邊緣收縮問題和遠(yuǎn)端薄區(qū)彎曲問題.

2. 對(duì)于復(fù)合材料大大降低了位于兩相界面處薄區(qū)的厚度, 提高了樣品質(zhì)量, 提高了制樣的成功率和效率.

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