場效應(yīng)管廣泛使用在模擬電路中與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。場效應(yīng)管的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動電路比較簡單。場效應(yīng)管需要的驅(qū)動電流比BJT則小得多，而且通?？梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅(qū)動電路；某次場效應(yīng)管的開關(guān)速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因為沒有電荷存儲效應(yīng)；另外場效應(yīng)管沒有二次擊穿失效機理，它在溫度越高時往往耐力越強，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低，還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性能。場效應(yīng)管已經(jīng)得到了大量應(yīng)用，在消費電子、工業(yè)產(chǎn)品、機電設(shè)備、智能手機以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見。
世微半導(dǎo)體MOS管采用SGT工藝，性能優(yōu)越，品質(zhì)好，具有高頻率、大電流、低開啟電壓、低內(nèi)阻、結(jié)電容小、低消耗、低溫升、高轉(zhuǎn)換效率、過電流大、抗沖擊能力強、開關(guān)損耗小等的優(yōu)點。
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The 10N10 is the hig hestp erformance trench N-
ch MOSFETs with extreme high cell density,
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內(nèi)阻：85 mΩ