硅薄膜作為薄膜太陽能電池的核心材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉換效率低和由 S-W 效應引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導率、較高載流子遷移的電學性質及優良的光學穩定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領域的研究熱點.

采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應的尾氣處理裝置, 有利于降低設備成本, 且工藝參數容易控制, 因此經過伯東工程師推薦, 長沙某大學實驗室課題租在研究微晶硅薄膜時, 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺沉積制備微晶硅薄膜.

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數:

試驗結果:

在實驗中, 通過伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺沉積的方法, 可以在玻璃襯底上制備出結晶良好的微晶硅薄膜.

KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.

若您需要進一步的了解詳細信息或討論,  請參考以下聯絡方式:

上海伯東: 羅先生                               臺灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

伯東版權所有,  翻拷必究!