igbt英飛凌BSM35GD120DN2_E3226可控硅模塊

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IGBT的工作原理和作用電路分析版：
　　IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。
由此可知，IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定：
　　--IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓；
　　--IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓；
　　--流過IGBT集電極-發(fā)射極的電流；
　　--IGBT的結溫。
　　如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓，即驅動電壓過低，則IGBT不能穩(wěn)定正常地工作，如果過高超過柵極-發(fā)射極之間的耐壓則IGBT可能性損壞；同樣，如果加在IGBT集電極與發(fā)射極允許的電壓超過集電極-發(fā)射極之間的耐壓，流過IGBT集電極-發(fā)射極的電流超過集電極-發(fā)射極允許的電流，IGBT的結溫超過其結溫的允許值，IGBT都可能會性損壞。