2090-CPWM7DF-08AF15 伺服電機

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可編程邏輯控制器系統的通信接口應包括串行和并行通信接口、RIO通信口、常用DCS接口等；大中型可編程邏輯控制器通信總線（含接口設備和電纜）應1：1冗余配置，通信總線應符合國際標準，通信距離應滿足裝置實際要求。
 
可編程邏輯控制器系統的通信網絡中，上級的網絡通信速率應大于1Mbps，通信負荷不大于60%。可編程邏輯控制器系統的通信網絡主要形式有下列幾種形式：
 
1）、PC為主站，多臺同型號可編程邏輯控制器為從站，組成簡易可編程邏輯控制器網絡；
 
2）、1臺可編程邏輯控制器為主站，其他同型號可編程邏輯控制器為從站，構成主從式可編程邏輯控制器網絡；
 
3）、可編程邏輯控制器網絡通過特定網絡接口連接到大型DCS中作為DCS的子網；
 
4）、專用可編程邏輯控制器網絡（各廠商的專用可編程邏輯控制器通信網絡）。
 
為減輕CPU通信任務，根據網絡組成的實際需要，應選擇具有不同通信功能的（如點對點、現場總線、）通信處理器。
 
編程功能
 
離線編程方式：可編程邏輯控制器和編程器公用一個CPU，編程器在編程模式時，CPU只為編程器提供服務，不對現場設備進行控制。完成編程后，編程器切換到運行模式，CPU對現場設備進行控制，不能進行編程。離線編程方式可降低系統成本，但使用和調試不方便。在線編程方式：CPU和編程器有各自的CPU，主機CPU負責現場控制，并在一個掃描周期內與編程器進行數據交換，編程器把在線編制的程序或數據發送到主機，下一掃描周期，主機就根據新收到的程序運行。這種方式成本較高，但系統調試和操作方便，在大中型可編程邏輯控制器中常采用。

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 安森美的1700 V EliteSiC MOSFET（NTH4L028N170M1），提供高功率工業應用所需的更高擊穿電壓（BV）的SiC方案。兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管（NDSH25170A、NDSH10170A）讓設計人員能夠實現在高溫高壓下穩定運行、同時由SiC賦能高能效的設計。

  安森美執行副總裁兼電源方案部總經理Simon Keeton說：“新的1700 V EliteSiC器件提供出色的能效和更低的功率損耗，加強了我們EliteSiC系列產品在性能和品質方面的高標準，同時也進一步擴大了安森美EliteSiC的深度和廣度。加上我們的端到端SiC制造能力，安森美提供的技術和供貨保證可以滿足工業能源基礎設施和工業驅動提供商的需求。”

  可再生能源應用正不斷向更高的電壓發展，其中太陽能系統正從1100 V向1500 V直流母線發展。為了支持這變革，客戶需要具有更高擊穿電壓（BV）值的MOSFET。新的1700 V EliteSiC MOSFET的最大Vgs范圍為-15 V/25 V，適用于柵極電壓提高到-10 V的快速開關應用，提供更高的系統可靠性。

  在1200 V、40 A的測試條件下，1700 V EliteSiC MOSFET的柵極電荷（Qg）達到領先市場的200 nC，而同類競爭器件的Qg近300 nC。低Qg對于在快速開關、高功率可再生能源應用中實現高能效至關重要。