伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射技術(shù)獲取高反射吸收Ta2O5薄膜

產(chǎn)品價格：	11/人民幣
最后更新：	2020-10-16 10:53:35
產(chǎn)品產(chǎn)地：	美國
發(fā)貨地：	本地至全國 (發(fā)貨期：當(dāng)天內(nèi)發(fā)貨)
供應(yīng)數(shù)量：	不限
有效期：	長期有效
最少起訂：	1
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公司基本資料信息

伯東企業(yè)(上海)有限公司
羅先生
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產(chǎn)品詳細(xì)說明

為了獲取高性能紫外激光薄膜元件, 急需研制紫外高吸收薄膜, 某研究所采用伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射沉積技術(shù)鍍制 Ta₂O₅薄膜進(jìn)行研究.

其系統(tǒng)工作示意圖如下：

該研究所的離子束濺射鍍膜組成系統(tǒng)主要由濺射室、雙離子源、濺射靶、基片臺等部分組成.

其中雙離子源中的一個離子源適用于濺射靶材, 另個離子源是用于基材的預(yù)清洗.

用于濺射的離子源采用伯東的 KRI 聚焦型射頻離子源 380, 其參數(shù)如下:

伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù)：

射頻離子源型號	RFICP 380
Discharge 陽極	射頻 RFICP
離子束流	>1500 mA
離子動能	100-1200 V
柵極直徑	30 cm Φ
離子束	聚焦
流量	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長度	39 cm
直徑	59 cm
中和器	LFN 2000

推薦理由：

聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

用于預(yù)清洗的離子源是采用伯東 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000

KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000 技術(shù)參數(shù):

離子源型號	霍爾離子源 eH3000 eH3000LO eH3000MO
Cathode/Neutralizer	HC
電壓	50-250V 50-300V 50-250V
電流	20A 10A 15A
散射角度	>45
可充其他	Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others
氣體流量	5-100sccm
高度	6.0“
直徑	9.7“
水冷	可選

其濺射室需要沉積前本底真空抽到 1×10^-5Pa, 經(jīng)推薦采用伯東分子泵組 Hicube 80 Pro, 其技術(shù)參數(shù)如下：

進(jìn)氣法蘭

氮氣抽速
N2,l/s

極限真空 hpa

前級泵

型號

前級泵抽速
m3/h

前級真空
安全閥

DN 40 ISO-KF

35

< 1X10-7

Pascal 2021

18

AVC 025 MA

運行結(jié)果：

伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射技術(shù)可以制備不同吸收率的355nm高反射吸收 Ta₂O₅薄膜.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.

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伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射技術(shù)獲取高反射吸收Ta2O5薄膜

為了獲取高性能紫外激光薄膜元件, 急需研制紫外高吸收薄膜, 某研究所采用伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射沉積技術(shù)鍍制 Ta2O5 薄膜進(jìn)行研究.

用于濺射的離子源采用伯東的 KRI 聚焦型射頻離子源 380, 其參數(shù)如下:

伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù)：

用于預(yù)清洗的離子源是采用伯東 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000

為了獲取高性能紫外激光薄膜元件, 急需研制紫外高吸收薄膜, 某研究所采用伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射沉積技術(shù)鍍制 Ta₂O₅薄膜進(jìn)行研究.