氧化鎵分子量 氧化鎵制備方法  氧化鎵實驗用品  功率半導體氧化鎵  氧化鎵分析純  分析純氧化鎵

英文名稱:Gallium(III)oxide

英文同義詞:Ga2-O3;Gallia;β-Ga2O3;Gallicoxide;GALLIUMOXIDE;ium(III)oxide;galliumtrioxide;GalliuM(Ⅵ)oxide;GallChemicalbookium(Ⅲ)oxide;Galliumtrioxide

中文名稱:氧化鎵

中文同義詞:氧化鎵;三氧化二鎵;氧化鎵(Ⅲ);氧化鎵25G;氧化鎵(III);氧化鎵三氧化二鎵;三氧化二鎵(III);氧化鎵,99.99 ;氧化鎵Α-GA2O3;氧化鎵Α-GA2O3

分子式：Ga2O3

氧化鎵分子量：187.44

氧化鎵Cas.  12024-21-4

外觀性狀：白色三角形的結晶顆粒。不溶于水。微溶于熱酸或堿溶液。熔點1900℃(在600℃時轉化為β型)。易溶于堿金屬氫氧化物和稀無機酸。有α，β兩種變體。α型為白色菱形六面體。

用途：用作高純分析試劑、用于電子工業半導體材料制備。

包裝：編織袋包裝25、50/公斤、1000公斤/噸包，紙板桶包裝25、50公斤/桶。

近年來氧化鎵晶體生長技術的突破性進展， 大地推動了相關的薄膜外延、日盲探測器、功率器件、高亮度紫外LED等器件的研究，是國際上超寬禁帶半導體領域的研究熱點。

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