NP4N10MR-G南麟100V N溝道增強(qiáng)型MOSFET

NP4N10MR-G南麟100V N溝道增強(qiáng)型MOSFET

NP4N10MR-G南麟100V N溝道增強(qiáng)型MOSFET

描述

NP4N10MR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)

提供出色的RDS（ON）、低柵極電荷和高

超低導(dǎo)通電阻密度電池設(shè)計(jì)。這

該裝置適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM

應(yīng)用。

一般特征

? VDS=100V，ID=4A RDS（開）（典型值）=110m? @VGS=10V

RDS（開）（典型值）=150m? @VGS=4.5V

? 高功率和電流處理能力

? 獲得無鉛產(chǎn)品

? 表面貼裝封裝

應(yīng)用

? PWM應(yīng)用

? 負(fù)荷開關(guān)

包裹

? SOT-23-3L

示意圖

D G S

標(biāo)記和針腳分配