NP1216DR-G南麟12V P溝道增強型MOSFET

NP1216DR-G南麟12V P溝道增強型MOSFET

NP1216DR-G南麟12V P溝道增強型MOSFET

描述

NP1216DR采用先進的溝槽技術

提供出色的RDS（ON）

一般特征

、低柵極電荷和

柵極電壓低至1.8V時運行。這

該裝置適合用作負載開關或PWM

應用。? VDS=-12V，ID

R=-16A

DS（ON）（典型值）=18米? @VGS

R=-2.5V

DS（開）（典型值）=13m? @VGS

? 高功率和電流處理能力

=-4.5V

? 獲得無鉛產品

? 表面貼裝封裝

應用

? PWM應用

? 負荷開關

包裹

? DFN2*2-6L-B

NP1216DR-G南麟12V P溝道增強型MOSFET