氧化鋯珠在電子元器件原料研磨中的應(yīng)用

ZnO壓敏電阻的性能主要取決于它的材料組成和微觀結(jié)構(gòu)，而其微觀結(jié)構(gòu)在很大程度上由粉體的特性決定。ZnO壓敏電阻中原料粒徑尺寸越小，越有利于其混合的均勻性，成分均勻是壓敏電阻燒結(jié)過(guò)程中各成分之間反應(yīng)均一的基礎(chǔ)。現(xiàn)有ZnO壓敏電阻生產(chǎn)所用原料中，主原料ZnO為細(xì)粉體，而添加劑氧化物的粒徑相對(duì)較粗且各自粒徑差異較大，不利于制備過(guò)程中各原料均勻分布。

上海的研究人員用臥式砂磨機(jī)對(duì)混合添加劑氧化物進(jìn)行微納化，探究添加劑粒徑對(duì)ZnO壓敏電阻性能的影響。借助粘度、Zeta電位、SEM、XRD和電測(cè)設(shè)備等分析方法對(duì)所制得的ZnO壓敏電阻進(jìn)行綜合分析。

結(jié)果表明，通過(guò)臥式砂磨機(jī)細(xì)化的添加劑粒徑達(dá)微，制得的壓敏電阻ZnO晶粒尺寸減小，微觀結(jié)構(gòu)均勻。相比于其他機(jī)械研磨設(shè)備，臥式砂磨機(jī)不只效率高，且細(xì)化物料的粒徑分布范圍窄，可達(dá)微。添加劑經(jīng)過(guò)臥式砂磨機(jī)細(xì)化后，粒徑減小，與ZnO混合均勻，在燒結(jié)成瓷過(guò)程中形成了多的尖晶石相，抑了ZnO晶粒的生長(zhǎng)，增加了單位厚度晶界層的數(shù)量，改進(jìn)了微觀結(jié)構(gòu)的均勻性，提了壓敏電阻的綜合電學(xué)性能。

氧化鋯珠在電子陶瓷漿料生產(chǎn)中的應(yīng)用

多層片式陶瓷電容器（MLCC）的制造工藝發(fā)展很，其中陶瓷漿料的制備與方法對(duì)于制造性能的制品具有重要的意義。良好的瓷漿分散可避免瓷粉顆粒團(tuán)聚，減少膜片氣孔率，提電容器瓷體致密性，終可達(dá)提電容器電性能和靠譜性的目的。

在陶瓷漿料分散的發(fā)展過(guò)程中，球磨罐和籃式砂磨機(jī)等一些機(jī)械研磨設(shè)備都曾地應(yīng)用在MLCC瓷漿的分散上，近年來(lái)日本和韓國(guó)等大型MLCC廠家逐步使用臥式砂磨機(jī)。由于臥式砂磨機(jī)具有高并適用于粒度小的漿料且漿料粒度分布集中、再現(xiàn)性好和作簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)，越來(lái)越多的MLCC廠家開(kāi)始使用臥式砂磨機(jī)。