DR探測器 CMOS探測器

技術參數

規格

探測器類別

非晶硅

閃爍體

CsI GOS

圖像尺寸(mm)

160×130

像素矩陣

1274×1024

像素間距(um)

125

A/D轉換(bits)

16

靈敏度(LSB/nGy, RQA5)

1.4

線性劑量(uGy, RQA5).

40

調制傳遞函數@ 0.5 LP/mm

0.60

調制傳遞函數@ 1.0 LP/mm

0.36

調制傳遞函數@ 2.0 LP/mm

0.16

調制傳遞函數@ 3.0 LP/mm

0.08

殘影(%, 300uGy, 60s)

<0.5

量子探測效率@ 0.0 LP/mm (2.5uGy)

0.73

量子探測效率@ 1.0 LP/mm (2.5uGy)

0.55

量子探測效率@ 2.0 LP/mm (2.5uGy)

0.45

量子探測效率@ 3.0 LP/mm (2.5uGy)

0.29

空間分辨率(LP/mm)

4.0

幀速率(fps)

30

X-射線工作范圍(kV)

40/-/150

傳輸方式

無線

功率(W)

12

電源(V)

DC24

交流電源頻率(Hz)

50/-/60

適配器輸出電壓(V)

24 DC

探測器尺寸(mm)

170×195×150

探測器重量(kg,不含線纜)

1.0±0.1

探測器外殼材料

碳板,鋁合金

存儲溫度(oC)

-20/-/55

工作溫度(oC)

5/-/35

存儲和運輸濕度(%RH)

10/-/75

工作濕度(%RH)

10/-/75