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CMOS平板探測(cè)器 動(dòng)態(tài)平板探測(cè)器
技術(shù)規(guī)格書
高性能的動(dòng)態(tài)平板探測(cè)器，具有圖像質(zhì)量高、曝光時(shí)間短、成像速度快和讀出速度高等.
技術(shù)參數(shù)：
1、數(shù)字成像視場(chǎng): 116X146mm（不同面積可訂制)
2、像素間距：49.5um；（高分辨率成像系統(tǒng)）
3、間距：200-600mm；
4、A/D轉(zhuǎn)換；16/bits
5、空間分辨率；10.LP/mm（高分辨率）
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技術(shù)參數(shù) |
規(guī)格 |
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探測(cè)器類別 |
非晶硅 |
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閃爍體 |
CsI GOS |
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圖像尺寸(mm) |
160×130 |
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像素矩陣 |
1274×1024 |
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像素間距(um) |
125 |
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A/D轉(zhuǎn)換(bits) |
16 |
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靈敏度(LSB/nGy, RQA5) |
1.4 |
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線性劑量(uGy, RQA5). |
40 |
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調(diào)制傳遞函數(shù)@ 0.5 LP/mm |
0.60 |
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調(diào)制傳遞函數(shù)@ 1.0 LP/mm |
0.36 |
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調(diào)制傳遞函數(shù)@ 2.0 LP/mm |
0.16 |
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調(diào)制傳遞函數(shù)@ 3.0 LP/mm |
0.08 |
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殘影(%, 300uGy, 60s) |
<0.5 |
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量子探測(cè)效率@ 0.0 LP/mm (2.5uGy) |
0.73 |
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量子探測(cè)效率@ 1.0 LP/mm (2.5uGy) |
0.55 |
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量子探測(cè)效率@ 2.0 LP/mm (2.5uGy) |
0.45 |
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量子探測(cè)效率@ 3.0 LP/mm (2.5uGy) |
0.29 |
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空間分辨率(LP/mm) |
4.0 |
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幀速率(fps) |
30 |
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X-射線工作范圍(kV) |
40/-/150 |
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傳輸方式 |
無線 |
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功率(W) |
12 |
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電源(V) |
DC24 |
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交流電源頻率(Hz) |
50/-/60 |
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適配器輸出電壓(V) |
24 DC |
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探測(cè)器尺寸(mm) |
170×195×150 |
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探測(cè)器重量(kg,不含線纜) |
1.0±0.1 |
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探測(cè)器外殼材料 |
碳板,鋁合金 |
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存儲(chǔ)溫度(oC) |
-20/-/55 |
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工作溫度(oC) |
5/-/35 |
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存儲(chǔ)和運(yùn)輸濕度(%RH) |
10/-/75 |
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工作濕度(%RH) |
10/-/75 |
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