TGF2955 產(chǎn)品特征
頻率范圍：DC - 12 GHz
標(biāo)稱Psat為46.4dBm，頻率為3 GHz
3 GHz時(shí)PAE為69％
3 GHz時(shí)的標(biāo)稱功率增益為19.2dB
偏壓：Vd = 32V，Idq = 150mA
芯片尺寸：0.82 x 2.31 x 0.10 mm
TGF2955 產(chǎn)品詳情
Qorvo的TGF2955是一種分立的7.56 mm GaN SiC HEMT，工作頻率為DC-12 GHz。
TGF2955通常提供46.4 dBm的飽和輸出功率，在3 GHz時(shí)功率增益為19.2 dB。 功率添加效率為69.0％，這使得TGF2955適用于高效應(yīng)用。
