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QORVO品牌氮化鎵產品選型書

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產品價格: /人民幣 
最后更新: 2019-05-24 14:56:27
產品產地: 美國
發貨地: 深圳市龍華區 (發貨期:當天內發貨)
供應數量: 不限
有效期: 長期有效
最少起訂: 1
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    • 深圳市立年電子科技有限公司
    • 王先生 先生 銷售經理
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    產品詳細說明

    氮化鎵創新

     

    Qorvo不斷提供最高性能和可靠性,以滿足客戶的需求。 采用高性能GaN

    技術支持從DCKa波段的產品,Qorvo通過提供新產品繼續建立強大的GaAs傳統

    和戰略代工服務,努力滿足我們合作伙伴苛刻的系統要求。 有了Qorvo,你不僅得到了

    世界一流的電氣性能,我們的合作伙伴也受益于具有業界領先的GaN可靠性的“值得信賴”的供應商。 Qorvo也是

    唯一一家達到制造準備水平(MRL)的GaN供應商9.尋找能夠將您的想法從概念轉變為供應商的供應商

    生產? Qorvo正在擴大可能性。


     

    GaN優勢

     

    Qorvo GaNSWaP-C分析提供了改進。 憑借出色的功率,效率和增益,系統設計人員現在具有靈活性

    進行以前不可能的設計交易。 更高的功率密度導致更小的區域中更高的功率容量。減少

    結合可以提高效率。 更高的電壓操作導致更低的系統損耗。 改進的功率處理支持高

    電源開關和高度可靠的LNA Qorvo在更高的結溫下具有領先的GaN可靠性,使用戶對此充滿信心

    長期運作。 無論動力是增加功率,減小電路板面積還是提高效率,Qorvo GaN都能實現這一目標

    同時降低整體系統成本

     

    關鍵Qorvo GaN屬性:

    現場16900臺設備的設備小時數> 6500萬,小于

    每百萬小時0.013%的故障

    高結溫時的可靠性,平均故障時間(MTTF

    200度(C)時大于10 71000萬)至10 910億)小時

    225度(C)大于10 6100萬)至10 81億)小時

    通過Ka波段支持DC的生產技術

     

    出色的噪音系數 - pHEMT相當

    ESDRF輸入信號具有高度魯棒性

    SiC基板,具有出色的熱管理性能

    高功率密度(改進的SWaP

    高功率附加效率(改進的SWaP

     

     

    GaN鑄造工藝

    作為經國防部認可的“微電子可信賴源”,Qorvo提供各種GaN技術以優化解決方案。認證

    包括鑄造,后處理,包裝/組裝和測試服務。 我們的代工服務部門提供的支持

    補充了Qorvo的高頻標準產品組合。 Qorvo服務以滿足自定義要求為中心

    混合產品和工藝解決方案。

     

    QGaN25

    技術:SiC0.25μmGaN

    漏極偏置(Vd):高達40V

    工作頻率:DC-18 GHz

    PAE10 GHz> 60

    功率密度:10 GHz時為6W / mm

    可靠性:20℃時> 10M小時

    40V3-temp DC MTTF w / failure

    定義為Idmax降低10%)

     

    QGaN25HV

    技術:SiC0.25μmGaN

    漏極偏壓(Vd):高達48V

    工作頻率:DC-12 GHz

    PAE3.5 GHz> 78

    功率密度:3.5 GHz6.5W / mm

    可靠性:20℃時> 10M小時

    48V3-temp DC MTTF w / failure

    定義為Idmax降低10%)

     

     

    QGaN15

    技術:SiC0.15μmGaN

    漏極偏壓(Vd):高達28V

    工作頻率:DC-40 GHz

    PAE30 GHz> 50

    功率密度:30 GHz4.2W / mm

    可靠性:20℃時> 10M小時

    28VDC MTTF w /故障定義為

    Idmax降低10%)

     

    QGaN50

    技術:SiC0.50μmGaN

    漏極偏壓(Vd):高達65V

    工作頻率:DC-8 GHz

    PAE3.5 GHz> 78

    功率密度:3.5 GHz時為9W / mm

    可靠性:20℃時> 10M小時

    65VDC MTTF w /故障定義為

    Idmax降低10%)

     

    GaN封裝解決方案

    Qorvo包裝解決方案專注于在管理散熱的同時化性能

    行為和成本。 我們的高性能GaN產品可以在各種Cu-中找到

    基于包裝的優質傳熱。 取決于功能和操作

    條件方面,Qorvo提供螺栓固定封裝,適用于小型表面貼裝封裝

    氣腔或包覆成型格式。

     

    GaN標準產品組合

    Qorvo在高性能砷化鎵(GaAs)領域的成熟技術已經擴展到氮化鎵(GaN)。使用GaN

    Qorvo被證明是支持下一代和商業應用的進化技術,正在引領潮流

    各種頻率和功能的世界級產品。隨著基于GaN的放大器和開關的不斷增加的產品組合

    憑借我們不斷擴展的高性能晶體管產品系列,Qorvo成為滿足您GaN需求的首選解決方案供應商。

    Qorvo對工藝和產品進行了廣泛的測試和分析,以提供最高的性能和可靠性

    提供卓越的大批量生產能力。同樣重要的是測量和預測熱行為。 Qorvo模擬

    使用有限元分析的FET通道溫度然后驗證這些模型對抗FET的微拉曼測量

    提供準確的長期壽命可靠性數據。


     

    詳細產品如下

     

    TGF2977-SM TGS2354-SM TGA2611-SM      T2G6003028-FL/-FS

    TQP0102     TGS2355-SM TGA2227-SM      QPD1004

    TGF2965-SM TGS2352-2-SM   TGA2612-SM      TGF2955

    TGF2952      TGS2353-2-SM   TGA2627-SM      T1G4004532-FL/-FS

    TGF2023-2-01    QPA2237     TGA2598-SM      T2G4005528-FS

    QPD1010     TGA2237-SM      TGA2590-CP TGF2023-2-10

    QPD1011     TGA2976-SM      QPA1013D   TGF2956

    T2G6000528-Q3 TGA2216-SM      TGA2963-CP TGF2957

    TGF3015-SM QPA1003P    TGA3042-SM      QPD1015/L

    T1G6001032-SM TGA2597-SM      TGA2586-FL TGF2929-HM

    TGF2023-2-02    TGA2578-CP QPA1010     TGF2929-FL/-FS

    QPD1022     TGA2214-CP QPA1011     TGF2023-2-20

    QPD1014     TGA2573-2  TGA2238-CP T1G4012036-FL/-FS

    QPD1014     TGA2576-2-FL    TGM2635-CP      TGF2819-FL/-FS

    TGF2953      TGA2975-SM      TGA2624-SM      QPD1008/L

    QPD1000     TGA2830-SM      TGA2624-CP QPD1013

    QPD1009     TGA2583-SM      TGA2622-SM      T1G4020036-FL/-FS

    T2G6001528-SG TGA2585-SM      TGA2622-CP T1G2028536-FL/-FS

    T2G6001528-Q3 QPA1014     TGA2312-FL QPD1017

    TGF2023-2-05    TGA2818-SM      TGA2625-CP QPD1003

    TGF2978-SM QPA1000     TGA2623-CP QPD1019

    TQP0103     TGA2817-SM      TGA2958-SM      QPD1016

    TGF3021-SM TGA2813-CP TGA2218-SM      TGA2594-HM

    TGF3020-SM TGA2814-SM      TGA2219-CP TGA2595-CP

    TGF2979-SM TGA2814-CP TGA2239-CP TGA2307-SM

    TGF2954      TGA2813-SM      TGA4548-SM      TGA2599-SM

    T2G4003532-FL/-FS  TQP0104          


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